半導體XRD檢測XRD殘余應(yīng)力檢測——廣東省科學院半導體研究所是廣東省科學院下屬骨干研究院所之一，主要聚焦半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的應(yīng)用技術(shù)研究，兼顧重大技術(shù)應(yīng)用的基礎(chǔ)研究，從事電子信息、半導體領(lǐng)域應(yīng)用基礎(chǔ)性、關(guān)鍵共性技術(shù)研究，以及行業(yè)應(yīng)用技術(shù)開發(fā)。

紅外光譜儀是利用物質(zhì)對不同波長的紅外輻射的吸收特性，進行分子結(jié)構(gòu)和化學組成分析的儀器。紅外光譜儀通常由光源，半導體XRD檢測費用多少，單色器，探測器和計算機處理信息系統(tǒng)組成。根據(jù)分光裝置的不同，分為色散型和干涉型。對色散型雙光路光學零位平衡紅外分光光度計而言，當樣品吸收了一定頻率的紅外輻射后，分子的振動能級發(fā)生躍遷，透過的光束中相應(yīng)頻率的光被減弱，造成參比光路與樣品光路相應(yīng)輻射的強度差，從而得到所測樣品的紅外光譜。

紅外光譜法操作簡單，不破壞樣品，使其在半導體分析的應(yīng)用日趨廣泛。半導體材料的紅外光譜揭示了晶格吸收、雜質(zhì)吸收和自由載流子吸收的情況，直接反映了半導體的許多性質(zhì)，如確定紅外透過率和結(jié)晶缺陷，監(jiān)控外延工藝氣體組分分布，測載流子濃度，測半導體薄層厚度和襯底表面質(zhì)量。

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同傾固定Ψ0法

每次探測掃描接收反射X射線的過程中，入射角Ψ0保持不變選擇一系列不同的入射線與試樣表面法線之夾角Ψ0來進行應(yīng)力測試工作。

Ψ與Ψ0之間關(guān)系為：

Ψ=Ψ0 η

η=90°﹣θ

同傾固定Ψ0法的Ψ0角設(shè)置要受到下列限制：

Ψ0 2η< 90°

→ Ψ0<2θ-90°

2η< 90°→2θ> 90°

同傾固定法

在每次掃描過程中衍射面法線固定在特定Ψ角方向上，即保持Ψ不變

測試時X=管與探測器等速相向(或相反)而行，青海半導體XRD檢測，每個接收反射X=時刻，相當于固定晶面法線的入射角與反射角相等。通過選擇一系列衍射晶面法線與試樣表面法線之間夾角Ψ，來進行應(yīng)力測試工作。同傾固定Ψ法的Ψ角設(shè)置要受到下列條件限制

Ψ η< 90°→Ψ<0

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由于材料存在織構(gòu)，其sin2ψ曲線呈震蕩型，選取的ψ角范圍不同，得到的擬合直線的斜率和殘余應(yīng)力存在明顯差異。在未知材料是否存在織構(gòu)、晶粒是否粗大的情況下，不可選取較小的ψ范圍和較少的ψ站數(shù)進行殘余應(yīng)力測定，否則會帶來較大的測量誤差。

對于sin2ψ曲線呈震蕩型的織構(gòu)材料，半導體XRD檢測測試，采用線性擬合未必是合理的，實際測量過程中，人們通常采用線性擬合的方式對這種震蕩和測量誤差引起的波動進行處理。關(guān)于ψ的范圍，大達45°也未必合理，如果可以忽略穿透深度的影響，采用更大的ψ角會更有利于獲得較為正確的結(jié)果。

對于粗晶粒材料或存在織構(gòu)的材料而言，盡量擴大ψ角的設(shè)置范圍，可以通過±ψ角的測量來消除ε-sin2ψ非線性分布的影響。對于小二乘法擬合回歸直線而言，若自變量的間距越大(ψ范圍越大)，測量的數(shù)據(jù)越多(ψ站數(shù)越多)，則擬合所得到的直線的準確度越高，測試得到的數(shù)值就越可靠。也可以通過增加X射線的照射面積，或是采用擺動法增加參與衍射晶粒的數(shù)量來提高測試精度。

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