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trimedyne鈥激光光纖-鈥激光光纖-廣州欣貝

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發(fā)布時(shí)間:2021-03-09 01:05  







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IGBT模塊在使用時(shí)的損壞原因

IGBT在使用過程中經(jīng)常受到容性或感性負(fù)載的沖擊,承受過負(fù)荷甚至負(fù)載短路等,可能導(dǎo)致IGBT損壞。IGBT模塊在使用時(shí)的損壞原因主要有以下情況——過電壓損壞和靜電損壞

IGBT在關(guān)斷時(shí),由于逆變電路中存在電感成分,關(guān)斷瞬間產(chǎn)生尖峰電壓,如果尖峰電壓超過IGBT器件的1高峰值電壓,將造成IGBT擊穿損壞。IGBT過電壓損壞可分為集電極-柵極過電壓、柵極-發(fā)射極過電壓、高du/dt過壓電等。大多數(shù)過電壓保護(hù)的電路設(shè)計(jì)都比較完善,但是對于由高du/dt所導(dǎo)致的過電壓故障,基本上都是采用無感電容或者RCD結(jié)構(gòu)吸收電路。由于吸收電路設(shè)計(jì)的吸收容量不夠而造成IGBT損壞,Potent鈥激光光纖,對此可采用電壓鉗位,往往在集電極-柵極兩端并接齊納二極管,采用柵極電壓動(dòng)態(tài)控制,當(dāng)集電極電壓瞬間超過齊納二極管的鉗位電壓時(shí),超出的電壓將疊加在柵極上(米勒效應(yīng)起作用),避免了IGBT因受集電極發(fā)射極過電壓而損壞。

采用柵極電壓動(dòng)態(tài)控制可以解決過高的du/dt帶來的集電極發(fā)射極瞬間過電壓問題,但是它的弊端是當(dāng)IGBT處于感性負(fù)載運(yùn)行時(shí),半橋結(jié)構(gòu)中處于關(guān)斷的IGBT,由于其反并聯(lián)二極管(續(xù)流二極管)的恢復(fù),其集電極-發(fā)射極兩端的電壓急劇上升,從而承受瞬間很高的du/dt。多數(shù)情況下,該du/dt值要比IGBT正常關(guān)斷時(shí)的集電極-發(fā)射極電壓上升率高,由于米勒電容( Cres)的存在,該du/dt值將在集電極和柵極之間產(chǎn)生一個(gè)瞬間電流,raykeen鈥激光光纖,流向柵極驅(qū)動(dòng)電路。該電流與柵極電路的阻抗相互作用,直接導(dǎo)致柵極-發(fā)射極電壓UGE值的升高,甚至超過IGBT的開通門限電壓UGE(th)值。出現(xiàn)惡劣的情況就是使IGBT被誤觸發(fā)導(dǎo)通,導(dǎo)致變換器的橋臂短路。


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故障現(xiàn)象:功率限制,無法使用高功率

檢測結(jié)果:鏡片損壞,該部分無法觸發(fā)功率

解決方案:更換鏡片,光路調(diào)試。


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鈥激光在光纖中的損耗

1.吸收損耗:由于光纖材料本身和雜志對光能的吸收而引起,把光能以熱能的形式消耗與光纖中,是材料固有的,不能消除。

2.散射損耗:由于材料分子以及材料結(jié)構(gòu)的不均勻折射率產(chǎn)生不均勻而引起的散射,這種散射是材料固有的不能消除。

3.結(jié)構(gòu)不規(guī)則損耗:由于纖芯包層界面上存在著微小結(jié)構(gòu)波動(dòng)和光纖內(nèi)部波導(dǎo)結(jié)構(gòu)不均勻而引起的,同樣不能消除。

4.彎曲損耗:是光纖軸彎曲所引起的損耗,任何肉眼可見的光纖軸線對于直線的偏移為彎曲和宏彎曲損耗;這種損耗隨曲率半徑的減少按指數(shù)規(guī)律增大。






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