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SDRAM存儲器銷售-SDRAM存儲器-驅(qū)動公司電子驅(qū)動ic

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發(fā)布時間:2021-02-05 12:04  





常見LCD驅(qū)動方式

一、字符型LCD驅(qū)動器操縱IC

銷售市場上通用性的8×1、8×2、16×1、16×2、16×4、20×2、20×4、40×4等字符型LCD,大部分都選用的KS0066做為LCD的驅(qū)動器控制板




二、圖型點陣容LCD驅(qū)動器操縱IC

1、點陣式數(shù)122×32


2、點陣式數(shù)128×64

(1)ST7920/ST7921,適用串行通信或并行處理數(shù)據(jù)信息實際操作方法,內(nèi)嵌漢語漢字庫

(2)KS0108,只適用并行處理數(shù)據(jù)信息實際操作方法,這一也是通用性的12864點陣式液晶顯示屏的驅(qū)動器操縱IC

(3)ST7565P,適用串行通信或并行處理數(shù)據(jù)信息實際操作方法

(4)S6B0724,適用串行通信或并行處理數(shù)據(jù)信息實際操作方法

(5)T6963C,只適用并行處理數(shù)據(jù)信息實際操作方法


3、別的點陣式數(shù)如192×64、240×64、320×64、240×128的一般全是選用T6963c驅(qū)動器操縱集成ic


4、點陣式數(shù)320×240,通用性的選用RA8835驅(qū)動器操縱IC



驅(qū)動電路時應(yīng)考慮哪些因素

近幾年來MOSFET和IGBT在變頻調(diào)速裝置、開關(guān)電源、不間斷電源等各種、低損耗和低噪音的場合得到了廣泛的應(yīng)用。這些功率器件的運行狀態(tài)直接決定了設(shè)備的優(yōu)劣,而性能良好的驅(qū)動電路又是開關(guān)器件安全可靠運行的重要保障。在設(shè)計MOSFET和IGBT的驅(qū)動電路時,應(yīng)考慮一下幾個因素:

(1)要有一定的驅(qū)動功率。也就是說,驅(qū)動電路能提供足夠的電流,SDRAM存儲器,在所要求的開通時間和關(guān)斷時間內(nèi)對MOSFET和IGBT的輸入電容Ciss充電和放電。輸入電容Ciss包括柵——源之間的電容CGS和柵——漏之間的電容CGD。 MOSFET和 IGBT的開通和關(guān)斷實質(zhì)上是對其輸入電容的充放電過程e799bee5baa6e59b9ee7ad9431333337383832,柵極電壓VGS的上升時間tr和下降時間tf決定輸入回路的時間常數(shù),即:tr(或tf)=2.2RCiss ,式中R是輸入回路電阻,其中包括驅(qū)動電源的內(nèi)阻Ri。從上式中可以知道驅(qū)動電源的內(nèi)阻越小,驅(qū)動速度越快。




(2)驅(qū)動電路延遲時間要小。開關(guān)頻率越高,延遲時間要越小。

(3)大功率IGBT在關(guān)斷時,有時須加反向電壓,以防止受到干擾時誤開通。

(4)驅(qū)動信號有時要求電氣隔離。

以PWM DC-DC全橋變換器為例,其同一橋臂的兩只開關(guān)管的驅(qū)動信號S上和S下相差1800,是剛好相反的,即一只開關(guān)管開通,SDRAM存儲器銷售,另一只開關(guān)管要關(guān)斷,或者同時關(guān)斷。其中,兩只上臂的開關(guān)管之間和下臂的開關(guān)管必須隔離。對于中小功率的驅(qū)動電路,用脈沖變壓器的方法實現(xiàn)隔離為簡單,而在大功率的應(yīng)用場合,則要使用集成驅(qū)動器驅(qū)動。



2.3 閉環(huán)調(diào)速系統(tǒng)

ML4428內(nèi)部的調(diào)速系統(tǒng)是典型的直流電機(jī)PWM雙閉環(huán)調(diào)速系統(tǒng),如圖4所示,在系統(tǒng)中設(shè)置兩個調(diào)節(jié)器,分別調(diào)節(jié)轉(zhuǎn)速和電流,二者之間實行串級聯(lián)接,SDRAM存儲器經(jīng)銷商,即以轉(zhuǎn)速調(diào)節(jié)器的輸出作為電流調(diào)節(jié)器,再用電流調(diào)節(jié)器的輸出控制開關(guān)器件。這樣組成的雙閉環(huán)系統(tǒng),在突加給定的過渡過程中表現(xiàn)為一個恒值電流調(diào)節(jié)系統(tǒng),在穩(wěn)態(tài)和接近穩(wěn)態(tài)運行中又表現(xiàn)為無靜差調(diào)速系統(tǒng),即發(fā)揮了轉(zhuǎn)速和電流兩個調(diào)節(jié)器各自的作用,又避免了像單環(huán)系統(tǒng)那樣兩種反饋互相牽制的缺陷,從而獲得良好的靜、動態(tài)品質(zhì)。




2.4 內(nèi)部保護(hù)電路

ML4428內(nèi)部具有電流檢測和限流功能。外部功率元件MOSFET的源極電流流過RSENSE得到與電動機(jī)繞組電流成正比例的電壓,經(jīng)環(huán)路濾波器(該濾波器能濾除觸發(fā)單穩(wěn)電路的噪聲尖峰電流,一般選樣在時間常數(shù)300ns以內(nèi))到電流比較器的正端(ISNS引腳),比較器的負(fù)端有鉗位電壓為0.5V的二極管,因此可以限制電機(jī)定子電路的峰值電流為10A時,則RSENSE=0.5/10=0.05Ω。當(dāng)電流檢測電路的電壓高于比較器負(fù)端電壓時,單穩(wěn)態(tài)電路被觸發(fā),關(guān)斷輸出MOSFET,電流下降,直至單穩(wěn)電流被復(fù)位。

ML4428正常電源供給為 12V,在電源低于8.75V時,6個輸出驅(qū)動器將全部關(guān)斷。


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