一、字符型LCD驅(qū)動(dòng)器操縱IC

銷售市場(chǎng)上通用性的8×1、8×2、16×1、16×2、16×4、20×2、20×4、40×4等字符型LCD，大部分都選用的KS0066做為L(zhǎng)CD的驅(qū)動(dòng)器控制板

二、圖型點(diǎn)陣容LCD驅(qū)動(dòng)器操縱IC

1、點(diǎn)陣式數(shù)122×32

2、點(diǎn)陣式數(shù)128×64

（1）ST7920/ST7921，適用串行通信或并行處理數(shù)據(jù)信息實(shí)際操作方法，內(nèi)嵌漢語(yǔ)漢字庫(kù)

（2）KS0108，只適用并行處理數(shù)據(jù)信息實(shí)際操作方法，這一也是通用性的12864點(diǎn)陣式液晶顯示屏的驅(qū)動(dòng)器操縱IC

（3）ST7565P，適用串行通信或并行處理數(shù)據(jù)信息實(shí)際操作方法

（4）S6B0724，適用串行通信或并行處理數(shù)據(jù)信息實(shí)際操作方法

（5）T6963C，只適用并行處理數(shù)據(jù)信息實(shí)際操作方法

3、別的點(diǎn)陣式數(shù)如192×64、240×64、320×64、240×128的一般全是選用T6963c驅(qū)動(dòng)器操縱集成ic

4、點(diǎn)陣式數(shù)320×240，通用性的選用RA8835驅(qū)動(dòng)器操縱IC

近幾年來(lái)MOSFET和IGBT在變頻調(diào)速裝置、開關(guān)電源、不間斷電源等各種、低損耗和低噪音的場(chǎng)合得到了廣泛的應(yīng)用。這些功率器件的運(yùn)行狀態(tài)直接決定了設(shè)備的優(yōu)劣，而性能良好的驅(qū)動(dòng)電路又是開關(guān)器件安全可靠運(yùn)行的重要保障。在設(shè)計(jì)MOSFET和IGBT的驅(qū)動(dòng)電路時(shí)，應(yīng)考慮一下幾個(gè)因素：

（1）要有一定的驅(qū)動(dòng)功率。也就是說(shuō)，驅(qū)動(dòng)電路能提供足夠的電流，SDRAM存儲(chǔ)器，在所要求的開通時(shí)間和關(guān)斷時(shí)間內(nèi)對(duì)MOSFET和IGBT的輸入電容Ciss充電和放電。輸入電容Ciss包括柵——源之間的電容CGS和柵——漏之間的電容CGD。 MOSFET和 IGBT的開通和關(guān)斷實(shí)質(zhì)上是對(duì)其輸入電容的充放電過(guò)程e799bee5baa6e59b9ee7ad9431333337383832，柵極電壓VGS的上升時(shí)間tr和下降時(shí)間tf決定輸入回路的時(shí)間常數(shù)，即：tr（或tf）=2.2RCiss ，式中R是輸入回路電阻，其中包括驅(qū)動(dòng)電源的內(nèi)阻Ri。從上式中可以知道驅(qū)動(dòng)電源的內(nèi)阻越小，驅(qū)動(dòng)速度越快。

（2）驅(qū)動(dòng)電路延遲時(shí)間要小。開關(guān)頻率越高，延遲時(shí)間要越小。

（3）大功率IGBT在關(guān)斷時(shí)，有時(shí)須加反向電壓，以防止受到干擾時(shí)誤開通。

（4）驅(qū)動(dòng)信號(hào)有時(shí)要求電氣隔離。

以PWM DC-DC全橋變換器為例，其同一橋臂的兩只開關(guān)管的驅(qū)動(dòng)信號(hào)S上和S下相差1800，是剛好相反的，即一只開關(guān)管開通，SDRAM存儲(chǔ)器銷售，另一只開關(guān)管要關(guān)斷，或者同時(shí)關(guān)斷。其中，兩只上臂的開關(guān)管之間和下臂的開關(guān)管必須隔離。對(duì)于中小功率的驅(qū)動(dòng)電路，用脈沖變壓器的方法實(shí)現(xiàn)隔離為簡(jiǎn)單，而在大功率的應(yīng)用場(chǎng)合，則要使用集成驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)。

2.3 閉環(huán)調(diào)速系統(tǒng)

ML4428內(nèi)部的調(diào)速系統(tǒng)是典型的直流電機(jī)PWM雙閉環(huán)調(diào)速系統(tǒng)，如圖4所示，在系統(tǒng)中設(shè)置兩個(gè)調(diào)節(jié)器，分別調(diào)節(jié)轉(zhuǎn)速和電流，二者之間實(shí)行串級(jí)聯(lián)接，SDRAM存儲(chǔ)器經(jīng)銷商，即以轉(zhuǎn)速調(diào)節(jié)器的輸出作為電流調(diào)節(jié)器，再用電流調(diào)節(jié)器的輸出控制開關(guān)器件。這樣組成的雙閉環(huán)系統(tǒng)，在突加給定的過(guò)渡過(guò)程中表現(xiàn)為一個(gè)恒值電流調(diào)節(jié)系統(tǒng)，在穩(wěn)態(tài)和接近穩(wěn)態(tài)運(yùn)行中又表現(xiàn)為無(wú)靜差調(diào)速系統(tǒng)，即發(fā)揮了轉(zhuǎn)速和電流兩個(gè)調(diào)節(jié)器各自的作用，又避免了像單環(huán)系統(tǒng)那樣兩種反饋互相牽制的缺陷，從而獲得良好的靜、動(dòng)態(tài)品質(zhì)。

2.4 內(nèi)部保護(hù)電路

ML4428內(nèi)部具有電流檢測(cè)和限流功能。外部功率元件MOSFET的源極電流流過(guò)RSENSE得到與電動(dòng)機(jī)繞組電流成正比例的電壓，經(jīng)環(huán)路濾波器(該濾波器能濾除觸發(fā)單穩(wěn)電路的噪聲尖峰電流，一般選樣在時(shí)間常數(shù)300ns以內(nèi))到電流比較器的正端(ISNS引腳)，比較器的負(fù)端有鉗位電壓為0.5V的二極管，因此可以限制電機(jī)定子電路的峰值電流為10A時(shí)，則RSENSE=0.5/10=0.05Ω。當(dāng)電流檢測(cè)電路的電壓高于比較器負(fù)端電壓時(shí)，單穩(wěn)態(tài)電路被觸發(fā)，關(guān)斷輸出MOSFET，電流下降，直至單穩(wěn)電流被復(fù)位。

ML4428正常電源供給為 12V，在電源低于8.75V時(shí)，6個(gè)輸出驅(qū)動(dòng)器將全部關(guān)斷。