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電子元器件都有電氣參數(shù),在選型時(shí)要給電子元器件留出足夠的余量,才能保證電子元器件的穩(wěn)定性和長(zhǎng)期運(yùn)行。接下來(lái)簡(jiǎn)要介紹一下三極管和MOS管的選型方法。
三極管是一種流控型器件,MOS管是壓控型器件,兩者之間有相似之處,在選擇時(shí)需要考慮耐壓、電流等參數(shù)。
1、根據(jù)耐壓選型
三極管的集電極C與發(fā)射極E之間能承受的電壓參數(shù)為V(BR)CEO,工作時(shí)CE之間的電壓不得超過(guò)規(guī)定值,否則三極管將永i久損壞。
在使用過(guò)程中,大電流mos萬(wàn)芯半導(dǎo)體,MOS管的漏極D與源極S之間也存在電壓,工作時(shí)DS兩端的電壓不能超過(guò)規(guī)定值。一般來(lái)說(shuō),MOS管的耐壓值遠(yuǎn)高于三極管。
2、過(guò)電流能力
三極管有ICM參數(shù),即集電極的過(guò)電流能力,MOS管的過(guò)電流能力以ID來(lái)表示。當(dāng)電流工作時(shí),流過(guò)三極管/MOS管的電流不能超過(guò)規(guī)定值,否則器件將會(huì)被燒壞。
考慮到工作穩(wěn)定性,大電流mos廠家,一般要留出30%-50%,甚至更多的余量。
3、工作溫度
商業(yè)級(jí)芯片:一般范圍在0到 70℃;
工業(yè)級(jí)芯片:一般范圍在-40到 85℃;
軍i工級(jí)芯片:一般范圍在-55℃到 150℃;
在進(jìn)行MOS管選型時(shí),要根據(jù)產(chǎn)品的使用場(chǎng)合選擇合適的芯片。
4、根據(jù)開(kāi)關(guān)頻率選擇
三極管和MOS管都有開(kāi)關(guān)頻率/響應(yīng)時(shí)間的參數(shù)。如果用于高頻電路中,必須考慮開(kāi)關(guān)管的響應(yīng)時(shí)間是否符合使用條件。
5、其他選型條件
例如,MOS管的導(dǎo)通電阻Ron參數(shù)、MOS管的VTH開(kāi)啟電壓等。
下邊是MOS無(wú)效的六大緣故:
1:山崩無(wú)效(工作電壓無(wú)效),也就是人們常說(shuō)的漏源間的BVdss工作電壓超出MOSFET的額定電流,而且超出做到了一定的功能進(jìn)而導(dǎo)致MOSFET無(wú)效。
2:SOA無(wú)效(電流量無(wú)效),既超過(guò)MOSFET安全工作區(qū)造成無(wú)效,分成Id超過(guò)器件規(guī)格型號(hào)無(wú)效及其Id過(guò)大,耗損過(guò)高器件長(zhǎng)期熱累積而導(dǎo)致的無(wú)效。
3:體二極管無(wú)效:在橋式、LLC等有效到體二極管開(kāi)展續(xù)流的網(wǎng)絡(luò)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中,因?yàn)轶w二極管遭到影響而導(dǎo)致的無(wú)效。
4:串聯(lián)諧振無(wú)效:在串聯(lián)應(yīng)用的環(huán)節(jié)中,柵極及電源電路寄生參數(shù)導(dǎo)致波動(dòng)造成的無(wú)效。
5:靜電感應(yīng)無(wú)效:在冬秋時(shí)節(jié),因?yàn)樯眢w及機(jī)器設(shè)備靜電感應(yīng)而導(dǎo)致的器件無(wú)效。
6:柵極工作電壓無(wú)效:因?yàn)闁艠O遭到出現(xiàn)異常工作電壓頂i峰,而導(dǎo)致柵極柵氧層無(wú)效。
公司成立于2013年7月,專注從事單片機(jī)的應(yīng)用開(kāi)發(fā)及生產(chǎn),并提供全系列中低壓MOS及電源、鋰電IC等的銷售,在LED及小家電等消費(fèi)類電子產(chǎn)品上應(yīng)用廣泛,為您量身定制適合的芯片方案。
功率MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管是較為常用的一類功率器件,中文全名是——金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管。它屬于一種功率輸出的器件,主要由金屬、氧化物還有半導(dǎo)體三種材料構(gòu)成。那么什么是功率MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管呢?
其實(shí)就是從名字來(lái)看,功率MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管就是它再工作時(shí)能輸出較大的電流。場(chǎng)效應(yīng)管的分類又分為很多種,其中圍繞功耗的特性我們可以分成增強(qiáng)型和耗盡型,大電流mos公司,如果按照溝道來(lái)選的話又可以分成N溝道型和P溝道型。
場(chǎng)效應(yīng)管在輸出功率的系統(tǒng)中,主要被當(dāng)做系統(tǒng)的開(kāi)關(guān)。如果我們?cè)贜溝道場(chǎng)效應(yīng)管的柵極和源極之間再加上一個(gè)電壓,就會(huì)讓其電源開(kāi)關(guān)導(dǎo)通。電源開(kāi)關(guān)導(dǎo)通之后,電流即可經(jīng)過(guò)電源開(kāi)關(guān)從漏極流入源極。其中在漏極和源極之間會(huì)存在一個(gè)內(nèi)電阻,我們一般叫做導(dǎo)通電阻器RDS(ON)。我們一定要清楚場(chǎng)效應(yīng)管的柵極實(shí)際上是一個(gè)高特性的阻抗端,所以我們需要在柵極上再添加一個(gè)電壓。當(dāng)源極和柵極間的電壓為零時(shí),大電流mos,電源開(kāi)關(guān)關(guān)掉,而電流量終止根據(jù)器件。盡管這時(shí)候器件早已關(guān)掉,但依然有細(xì)微電流量存有,這稱作泄露電流IDSS。
因?yàn)閳?chǎng)效應(yīng)管是電氣控制系統(tǒng)中基本上的構(gòu)件之一,挑選恰當(dāng)?shù)膱?chǎng)效應(yīng)管對(duì)全部設(shè)計(jì)方案是不是取得成功起著重要的功效。僅有掌握?qǐng)鲂?yīng)管的種類及掌握決策他們的關(guān)鍵特性特性,設(shè)計(jì)方案工作人員才可以對(duì)于特殊設(shè)計(jì)方案挑選恰當(dāng)?shù)膱?chǎng)效應(yīng)管。
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