具體的測試條件和估算結(jié)果可參考以下標(biāo)準(zhǔn)：

JESD22-A108-AEAJED- 4701-D101②HTOL/ LTOL：高/低溫操作生命期試驗(yàn)（High/ Low Temperature Operating Life ）

目的: 評(píng)估器件在超熱和超電壓情況下一段時(shí)間的耐久力

測試條件: 125℃，1.1VCC， 動(dòng)態(tài)測試

失效機(jī)制：電子遷移，氧化層，相互擴(kuò)散，不穩(wěn)定性，離子玷污等

參考標(biāo)準(zhǔn)：

125℃條件下1000 小時(shí)測試通過IC 可以保證持續(xù)使用4 年，2000 小時(shí)測試持續(xù)使用8年；150℃ 1000小時(shí)測試通過保證使用8年，2000小時(shí)保證使用28年。

具體的測試條件和估算結(jié)果可參考以下標(biāo)準(zhǔn)

MIT-STD-883E Method 1005.8

JESD22-A108-A

二、環(huán)境測試項(xiàng)目（Environmental test items）

PRE-CON， THB， HAST， PCT， TCT， TST， HTST， Solderability Test，單片機(jī)簡易數(shù)字電壓表，Solder Heat Test

①PRE-CON:預(yù)處理測試（ Precondition Test ）

目的: 模擬IC在使用之前在一定濕度，溫度條件下存儲(chǔ)的耐久力，也就是IC從生產(chǎn)到使用之間存儲(chǔ)的可靠性。

測試流程（Test Flow）:

Step 1:超聲掃描儀 SAM (Scanning Acoustic Microscopy)

Step 2: 高低溫循環(huán)（Temperature cycling ）-40℃(or lower) ~ 60℃(or higher) for 5 cycles to simulate shipping conditi

Step 3:烘烤（ Baking ）At minimum 125℃ for 24 hours to remove all moisture from the package

Step 4: 浸泡（Soaking ）

在數(shù)字IC設(shè)計(jì)流程中，前端設(shè)計(jì)工程師們需要運(yùn)用到的技能有很多，那么對于設(shè)計(jì)師而言，需要掌握的技能到底有哪些呢？接下來和小編一起了解一下.

語言類

Verilog-2001/ VHDL

SystemVerilog/ SystemC

Makefile/ Perl/ Python

Tcl

工具類

NCVerilog/ VCS/ ModelSim

SimVision/ DVE/ Verdi

Vim/ Emacs

SVN/ CVS/ Git

Microsoft Office

平臺(tái)類

Windows

Linux

OS X

其他加分項(xiàng)目

MATLAB

ISE/ Synplify/ Vivado/ Quartus

LEC/Formality

VMM/ UVM

ESL

ZeBu Server

JIRA/ Confluence

C/ Assembly Language

Computer Architecture/ ARM Architecture/ MIPS Architecture

瑞泰威驅(qū)動(dòng)IC廠家，是國內(nèi)IC電子元器件的代理銷售企業(yè)，專業(yè)從事各類驅(qū)動(dòng)IC、存儲(chǔ)IC、傳感器IC、觸摸IC銷售，品類齊全，具備上百個(gè)型號(hào)。

耐久性測試項(xiàng)目（Endurance test items ）Endurance cycling test， Data retention test①周期耐久性測試（Endurance Cycling Test ）

目的: 評(píng)估非揮發(fā)性memory器件在多次讀寫算后的持久性能

Test Method: 將數(shù)據(jù)寫入memory的存儲(chǔ)單元，數(shù)字電壓表原理圖，在擦除數(shù)據(jù)，重復(fù)這個(gè)過程多次

測試條件: 室溫，或者更高，企石鎮(zhèn)數(shù)字電壓，每個(gè)數(shù)據(jù)的讀寫次數(shù)達(dá)到100k~1000k

具體的測試條件和估算結(jié)果可參考以下標(biāo)準(zhǔn)

MIT-STD-883E Method 1033

②數(shù)據(jù)保持力測試（Data Retention Test）

目的: 在重復(fù)讀寫之后加速非揮發(fā)性memory器件存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)的電荷損失

測試條件: 在高溫條件下將數(shù)據(jù)寫入memory 存儲(chǔ)單元后，多次讀取驗(yàn)證單元中的數(shù)據(jù)

失效機(jī)制：150℃

具體的測試條件和估算結(jié)果可參考以下標(biāo)準(zhǔn)：

MIT-STD-883E Method 1008.2

MIT-STD-883E Method 1033

在了解上述的IC測試方法之后，直流數(shù)字電壓表電路圖，IC的設(shè)計(jì)制造商就需要根據(jù)不用IC產(chǎn)品的性能，用途以及需要測試的目的，選擇合適的測試方法，的降低IC測試的時(shí)間和成本，從而有效控制IC產(chǎn)品的質(zhì)量和可靠度。