IGBT全稱絕緣柵雙極晶體管，是MOSFET和GTR(功率晶管)相結(jié)合的產(chǎn)物。它的三個(gè)極分別是集電極(C)、發(fā)射極(E)和柵極(G)。

特點(diǎn)：擊穿電壓可達(dá)1200V，集電極飽和電流已超過(guò)1500A。由IGBT作為逆變器件的變頻器的容量達(dá)250kVA以上，工作頻率可達(dá)20kHz。

IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor(絕緣柵雙極型晶體管)的縮寫，IGBT是由MOSFET和雙極型晶體管復(fù)合而成的一種器件，其輸入極為MOSFET，輸出極為PNP晶體管，它融合了這兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，既具有MOSFET器件驅(qū)動(dòng)功率小和開(kāi)關(guān)速度快的優(yōu)點(diǎn)，又具有雙極型器件飽和壓降低而容量大的優(yōu)點(diǎn)，其頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間，可正常工作于幾十kHz頻率范圍內(nèi)，在現(xiàn)代電力電子技術(shù)中得到了越來(lái)越廣泛的應(yīng)用，無(wú)刷直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)ic，在較高頻率的大、中功率應(yīng)用中占據(jù)了主導(dǎo)地位。

若在IGBT的柵極和發(fā)射極之間加上驅(qū)動(dòng)正電壓，則MOSFET導(dǎo)通，這樣PNP晶體管的集電極與基極之間成低阻狀態(tài)而使得晶體管導(dǎo)通；若IGBT的柵極和發(fā)射極之間電壓為0V，則MOS 截止，切斷PNP晶體管基極電流的供給，使得晶體管截止。IGBT與MOSFET一樣也是電壓控制型器件，LED驅(qū)動(dòng)IC，在它的柵極—發(fā)射極間施加十幾V的直流電壓，只有在u級(jí)的漏電流流過(guò)，基本上不消耗功率。

商品一體化也可能變成LED顯示器驅(qū)動(dòng)器IC的關(guān)鍵發(fā)展趨向，電動(dòng)驅(qū)動(dòng)ic，伴隨著LED顯示器清晰度間隔的快速降低，企業(yè)總面積上應(yīng)貼片的封裝元器件以幾何倍數(shù)提高，大大增加摸組驅(qū)動(dòng)器面的電子器件相對(duì)密度。

這般擁堵電子器件的排序，非常容易導(dǎo)致電焊焊接欠佳等難題，也減少了摸組的可信性。驅(qū)動(dòng)器IC越來(lái)越少的使用量，驅(qū)動(dòng)ic，PCB更大的走線總面積，來(lái)源于運(yùn)用端要求讓驅(qū)動(dòng)器IC務(wù)必踏入了高集成化的關(guān)鍵技術(shù)。

顯示信息驅(qū)動(dòng)ic是顯示器顯像系統(tǒng)軟件的關(guān)鍵一部分，是集成了電阻器，控制器，電壓比較器和輸出功率三極管等構(gòu)件的，包含LCD控制模塊和顯示信息分系統(tǒng)，承擔(dān)驅(qū)動(dòng)器顯示屏和操縱工作電壓等作用，分成靜態(tài)數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器和動(dòng)態(tài)性驅(qū)動(dòng)器二種方式。

顯示信息驅(qū)動(dòng)ic可以驅(qū)動(dòng)器各種各樣高中低檔特性，單、雙及精彩的顯示器。普遍的運(yùn)用于電信網(wǎng)、郵政快遞、金融業(yè)、交通出行、運(yùn)動(dòng)場(chǎng)館等每個(gè)制造行業(yè)和政府部門部門。