IGBT全稱絕緣柵雙極晶體管，是MOSFET和GTR(功率晶管)相結合的產物。它的三個極分別是集電極(C)、發(fā)射極(E)和柵極(G)。

特點：擊穿電壓可達1200V，集電極飽和電流已超過1500A。由IGBT作為逆變器件的變頻器的容量達250kVA以上，工作頻率可達20kHz。

IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor(絕緣柵雙極型晶體管)的縮寫，IGBT是由MOSFET和雙極型晶體管復合而成的一種器件，其輸入極為MOSFET，輸出極為PNP晶體管，它融合了這兩種器件的優(yōu)點，既具有MOSFET器件驅動功率小和開關速度快的優(yōu)點，又具有雙極型器件飽和壓降低而容量大的優(yōu)點，其頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間，可正常工作于幾十kHz頻率范圍內，在現(xiàn)代電力電子技術中得到了越來越廣泛的應用，無刷直流電機驅動ic，在較高頻率的大、中功率應用中占據(jù)了主導地位。

若在IGBT的柵極和發(fā)射極之間加上驅動正電壓，則MOSFET導通，這樣PNP晶體管的集電極與基極之間成低阻狀態(tài)而使得晶體管導通；若IGBT的柵極和發(fā)射極之間電壓為0V，則MOS 截止，切斷PNP晶體管基極電流的供給，使得晶體管截止。IGBT與MOSFET一樣也是電壓控制型器件，LED驅動IC，在它的柵極—發(fā)射極間施加十幾V的直流電壓，只有在u級的漏電流流過，基本上不消耗功率。

商品一體化也可能變成LED顯示器驅動器IC的關鍵發(fā)展趨向，電動驅動ic，伴隨著LED顯示器清晰度間隔的快速降低，企業(yè)總面積上應貼片的封裝元器件以幾何倍數(shù)提高，大大增加摸組驅動器面的電子器件相對密度。

這般擁堵電子器件的排序，非常容易導致電焊焊接欠佳等難題，也減少了摸組的可信性。驅動器IC越來越少的使用量，驅動ic，PCB更大的走線總面積，來源于運用端要求讓驅動器IC務必踏入了高集成化的關鍵技術。

顯示信息驅動ic是顯示器顯像系統(tǒng)軟件的關鍵一部分，是集成了電阻器，控制器，電壓比較器和輸出功率三極管等構件的，包含LCD控制模塊和顯示信息分系統(tǒng)，承擔驅動器顯示屏和操縱工作電壓等作用，分成靜態(tài)數(shù)據(jù)驅動器和動態(tài)性驅動器二種方式。

顯示信息驅動ic可以驅動器各種各樣高中低檔特性，單、雙及精彩的顯示器。普遍的運用于電信網(wǎng)、郵政快遞、金融業(yè)、交通出行、運動場館等每個制造行業(yè)和政府部門部門。