典型的IC產(chǎn)品的生命周期可以用一條浴缸曲線（Bathtub Curve）來(lái)表示。Ⅰ Ⅱ ⅢRegion (I) 被稱為早夭期（Infancy period）

這個(gè)階段產(chǎn)品的 failure rate 快速下降，造成失效的原因在于IC設(shè)計(jì)和生產(chǎn)過程中的缺陷；Region (II) 被稱為使用期（Useful life period）在這個(gè)階段產(chǎn)品的failure rate保持穩(wěn)定，失效的原因往往是隨機(jī)的，比如溫度變化等等；u Region (III) 被稱為磨耗期（Wear-Out period）在這個(gè)階段failure rate 會(huì)快速升高，失效的原因就是產(chǎn)品的長(zhǎng)期使用所造成的老化等。認(rèn)識(shí)了典型IC產(chǎn)品的生命周期，我們就可以看到，Reliability的問題就是要力圖將處于早夭期failure的產(chǎn)品去除并估算其良率，數(shù)字ic，預(yù)計(jì)產(chǎn)品的使用期，并且找到failure的原因，尤其是在IC生產(chǎn)，封裝，數(shù)字ic刷題的網(wǎng)站，存儲(chǔ)等方面出現(xiàn)的問題所造成的失效原因。下面就是一些 IC 產(chǎn)品可靠性等級(jí)測(cè)試項(xiàng)目（IC Product Level reliability testitems ）

一、使用壽命測(cè)試項(xiàng)目（Life test items）：EFR，數(shù)字ic視頻教程， OLT (HTOL)， LTOL①EFR:早期失效等級(jí)測(cè)試（ Early fail Rate Test ）目的: 評(píng)估工藝的穩(wěn)定性，數(shù)字ic公司，加速缺陷失效率，去除由于天生原因失效的產(chǎn)品。測(cè)試條件: 在特定時(shí)間內(nèi)動(dòng)態(tài)提升溫度和電壓對(duì)產(chǎn)品進(jìn)行測(cè)試失效機(jī)制：材料或工藝的缺陷，包括諸如氧化層缺陷，金屬刻鍍，離子玷污等由于生產(chǎn)造成的失效。

一、作用構(gòu)造歸類

集成電路芯片，又稱之為IC，按其作用、構(gòu)造的不一樣，能夠 分成模擬集成電路芯片、數(shù)據(jù)集成電路芯片和數(shù)/?；旌图呻娐沸酒箢悺?/p>

二、加工工藝歸類

集成電路芯片按加工工藝可分成半導(dǎo)體材料集成電路芯片和膜集成電路芯片。

三、導(dǎo)電性種類不一樣

集成電路芯片按導(dǎo)電性種類可分成雙極型集成電路芯片和單極型集成電路芯片，她們?nèi)菙?shù)據(jù)集成電路芯片。

雙極型集成電路芯片的加工工藝繁雜，功能損耗很大，意味著集成電路芯片有TTL、ECL、HTL、LST-TL、STTL等種類。單極型集成電路芯片的加工工藝簡(jiǎn)易，功能損耗也較低，便于做成規(guī)模性集成電路芯片，意味著集成電路芯片有CMOS、NMOS、PMOS等種類。

9. Dummy metal的增加。

　　Foundry廠都有對(duì)金屬密度的規(guī)定，使其金屬密度不要低于一定的值，以防在芯片制造過程中的刻蝕階段對(duì)連線的金屬層過度刻蝕從而降低電路的性能。加入Dummy metal是為了增加金屬的密度。

　　10. DRC和LVS。

　　DRC是對(duì)芯片版圖中的各層物理圖形進(jìn)行設(shè)計(jì)規(guī)則檢查(spacing ，width)，它也包括天線效應(yīng)的檢查，以確保芯片正常流片。LVS主要是將版圖和電路網(wǎng)表進(jìn)行比較，來(lái)保證流片出來(lái)的版圖電路和實(shí)際需要的電路一致。DRC和LVS的檢查--EDA工具 Synopsy hercules/ mentor calibre/ CDN Dracula進(jìn)行的.Astro also include LVS/DRC check commands.

　　11. Tape out。

　　在所有檢查和驗(yàn)證都正確無(wú)誤的情況下把后的版圖GDSⅡ文件傳遞給Foundry廠進(jìn)行掩膜制造。

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