典型的IC產(chǎn)品的生命周期可以用一條浴缸曲線（Bathtub Curve）來表示。Ⅰ Ⅱ ⅢRegion (I) 被稱為早夭期（Infancy period）

這個(gè)階段產(chǎn)品的 failure rate 快速下降，造成失效的原因在于IC設(shè)計(jì)和生產(chǎn)過程中的缺陷；Region (II) 被稱為使用期（Useful life period）在這個(gè)階段產(chǎn)品的failure rate保持穩(wěn)定，失效的原因往往是隨機(jī)的，比如溫度變化等等；u Region (III) 被稱為磨耗期（Wear-Out period）在這個(gè)階段failure rate 會(huì)快速升高，失效的原因就是產(chǎn)品的長期使用所造成的老化等。認(rèn)識了典型IC產(chǎn)品的生命周期，我們就可以看到，Reliability的問題就是要力圖將處于早夭期failure的產(chǎn)品去除并估算其良率，數(shù)字ic，預(yù)計(jì)產(chǎn)品的使用期，并且找到failure的原因，尤其是在IC生產(chǎn)，封裝，數(shù)字ic刷題的網(wǎng)站，存儲等方面出現(xiàn)的問題所造成的失效原因。下面就是一些 IC 產(chǎn)品可靠性等級測試項(xiàng)目（IC Product Level reliability testitems ）

一、使用壽命測試項(xiàng)目（Life test items）：EFR，數(shù)字ic視頻教程， OLT (HTOL)， LTOL①EFR:早期失效等級測試（ Early fail Rate Test ）目的: 評估工藝的穩(wěn)定性，數(shù)字ic公司，加速缺陷失效率，去除由于天生原因失效的產(chǎn)品。測試條件: 在特定時(shí)間內(nèi)動(dòng)態(tài)提升溫度和電壓對產(chǎn)品進(jìn)行測試失效機(jī)制：材料或工藝的缺陷，包括諸如氧化層缺陷，金屬刻鍍，離子玷污等由于生產(chǎn)造成的失效。

一、作用構(gòu)造歸類

集成電路芯片，又稱之為IC，按其作用、構(gòu)造的不一樣，能夠 分成模擬集成電路芯片、數(shù)據(jù)集成電路芯片和數(shù)/?；旌图呻娐沸酒箢悺?/p>

二、加工工藝歸類

集成電路芯片按加工工藝可分成半導(dǎo)體材料集成電路芯片和膜集成電路芯片。

三、導(dǎo)電性種類不一樣

集成電路芯片按導(dǎo)電性種類可分成雙極型集成電路芯片和單極型集成電路芯片，她們?nèi)菙?shù)據(jù)集成電路芯片。

雙極型集成電路芯片的加工工藝繁雜，功能損耗很大，意味著集成電路芯片有TTL、ECL、HTL、LST-TL、STTL等種類。單極型集成電路芯片的加工工藝簡易，功能損耗也較低，便于做成規(guī)模性集成電路芯片，意味著集成電路芯片有CMOS、NMOS、PMOS等種類。

9. Dummy metal的增加。

　　Foundry廠都有對金屬密度的規(guī)定，使其金屬密度不要低于一定的值，以防在芯片制造過程中的刻蝕階段對連線的金屬層過度刻蝕從而降低電路的性能。加入Dummy metal是為了增加金屬的密度。

　　10. DRC和LVS。

　　DRC是對芯片版圖中的各層物理圖形進(jìn)行設(shè)計(jì)規(guī)則檢查(spacing ，width)，它也包括天線效應(yīng)的檢查，以確保芯片正常流片。LVS主要是將版圖和電路網(wǎng)表進(jìn)行比較，來保證流片出來的版圖電路和實(shí)際需要的電路一致。DRC和LVS的檢查--EDA工具 Synopsy hercules/ mentor calibre/ CDN Dracula進(jìn)行的.Astro also include LVS/DRC check commands.

　　11. Tape out。

　　在所有檢查和驗(yàn)證都正確無誤的情況下把后的版圖GDSⅡ文件傳遞給Foundry廠進(jìn)行掩膜制造。

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