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測量示例：

SiO 2 SiN [FE-0002]的膜厚測量

半導(dǎo)體晶體管通過控制電流的導(dǎo)通狀態(tài)來發(fā)送信號(hào)，但是為了防止電流泄漏和另一個(gè)晶體管的電流流過任意路徑，有必要隔離晶體管，埋入絕緣膜。 SiO 2（二氧化硅）或SiN（氮化硅）可用于絕緣膜。 SiO 2用作絕緣膜，而SiN用作具有比SiO 2更高的介電常數(shù)的絕緣膜，或是作為通過CMP去除SiO 2的不必要的阻擋層。之后SiN也被去除。 為了絕緣膜的性能和精準(zhǔn)的工藝控制，有必要測量這些膜厚度。



 

膜厚儀如何系統(tǒng)校準(zhǔn)?

校準(zhǔn)的方法、種類，這是新用戶經(jīng)常會(huì)遇到的問題。系統(tǒng)校準(zhǔn)、零點(diǎn)校準(zhǔn)還有兩點(diǎn)校準(zhǔn)其實(shí)都已經(jīng)在說明書上寫到了，用戶只需仔細(xì)閱讀就可以了。需要注意的是：在校準(zhǔn)鐵基時(shí)1好是多測量幾次以防止錯(cuò)誤操作;系統(tǒng)校準(zhǔn)的樣片要按照從小到大的順序進(jìn)行。如果個(gè)別標(biāo)準(zhǔn)片丟失可以找與其數(shù)值相近的樣片代替。

膜厚儀是一種比較精密的監(jiān)測設(shè)備，它在平時(shí)的使用中對于精準(zhǔn)度的要求很高，但是還是會(huì)有誤差的現(xiàn)象發(fā)生，除了儀器本身的一些故障以外，環(huán)境因素也是造成誤差的一大“元兇”。