化學(xué)氣相沉積法在金屬材料方面的使用

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鈀的化學(xué)氣相沉積Pd 及其合金對氫氣有著極強(qiáng)的吸附作用以及特別的選擇滲透性能，是一種存儲或者凈化氫氣的理想材料。特點(diǎn)1）在中溫或高溫下，通過氣態(tài)的初始化合物之間的氣相化學(xué)反應(yīng)而形成固體物質(zhì)沉積在基體上。對于Pd 的使用大多是將鈀合金或是鈀鍍層生產(chǎn)氫凈化設(shè)備 。也有些學(xué)者使用化學(xué)氣相沉積法將鈀制成薄膜或薄層。具體做法是使用分解溫度極低的金屬有機(jī)化合物當(dāng)做制備鈀的材料，具體包括：烯丙基Pd（η-C3H5） （η-C5H5）以及 Pd（η-C3H5）（CF3COCHCOCF3）之類的材料，使用這種方式能夠制取出純度很高的鈀薄膜。

化學(xué)氣相沉積的特點(diǎn)

化學(xué)氣相沉積法之所以得到發(fā)展，是和它本身的特點(diǎn)分不開的，其特點(diǎn)如下。

I) 沉積物種類多: 可以沉積金屬薄膜、非金屬薄膜，也可以按要求制備多組分合金的薄膜，以及陶瓷或化合物層。

2) CVD反應(yīng)在常壓或低真空進(jìn)行，鍍膜的繞射性好，對于形狀復(fù)雜的表面或工件的深孔、細(xì)孔都能均勻鍍覆。

3) 能得到純度高、致密性好、殘余應(yīng)力小、結(jié)晶良好的薄膜鍍層。由于反應(yīng)氣體、反應(yīng)產(chǎn)物和基體的相互擴(kuò)散，可以得到附著力好的膜層，這對表面鈍化、抗蝕及耐磨等表面增強(qiáng)膜是很重要的。

4) 由于薄膜生長的溫度比膜材料的熔點(diǎn)低得多，由此可以得到純度高、結(jié)晶完全的膜層，這是有些半導(dǎo)體膜層所必須的。

5) 利用調(diào)節(jié)沉積的參數(shù)，可以有效地控制覆層的化學(xué)成分、形貌、晶體結(jié)構(gòu)和晶粒度等。

6) 設(shè)備簡單、操作維修方便。

7) 反應(yīng)溫度太高，一般要850~ 1100℃下進(jìn)行，許多基體材料都耐受不住CVD的高溫。采用等離子或激光輔助技術(shù)可以降低沉積溫度。

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化學(xué)氣相沉積的特點(diǎn)有哪些？

?  高溫石英管反應(yīng)器設(shè)計(jì)

?  溫度范圍：室溫到1100度

?  多路氣體準(zhǔn)確控制

?  標(biāo)準(zhǔn)氣壓計(jì)

?  易于操作

?  可配機(jī)械泵實(shí)現(xiàn)低壓TCVD

?  可用于制備金屬氧化物、氮化物、碳化物、金屬薄膜

?  液體前驅(qū)體噴頭

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ICP刻蝕機(jī)的測量與控制

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由于等離子刻蝕工藝中的過程變量，如刻蝕率、氣壓、溫度、等離子阻抗，等等，不易測量，因此業(yè)界常用的測量方法有：

虛擬測量（Virtual Metrology） 

等離子刻蝕過程控制示意圖

光譜測量

等離子阻抗監(jiān)控

終端探測

遠(yuǎn)程耦合傳感

控制方法

run-to-run 控制（R2R） 

模型預(yù)測控制（MPC）

人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)控制