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NR9 3000PY光刻膠公司生產(chǎn)基地,北京賽米萊德

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發(fā)布時(shí)間:2020-12-04 19:40  






光刻膠的應(yīng)用

以下內(nèi)容由賽米萊德為您提供,希望對(duì)同行業(yè)的朋友有所幫助。

模擬半導(dǎo)體(Analog Semiconductors)發(fā)光二極管(Light-Emitting Diodes LEDs)微機(jī)電系統(tǒng)(Microelectromechanical Systems MEMS)太陽(yáng)能光伏(Solar Photovoltaics PV)微流道和生物芯片(Microfluidics & Biochips)光電子器件/光子器件(Optoelectronics/Photonics)封裝(Packaging)



光刻膠的參數(shù)介紹

1.對(duì)比度(Contrast)

對(duì)比度指光刻膠從曝光區(qū)到非曝光區(qū)過(guò)渡的陡度。 對(duì)比度越好,越容易形成側(cè)壁陡直的圖形和較高的寬高比。

2.粘滯性/黏度 (Viscosity)

衡量光刻膠流動(dòng)特性的參數(shù)。黏度通??梢允褂霉饪棠z中聚合物的固體含量來(lái)控制。同一種光刻膠根據(jù)濃度不同可以有不同的黏度,而不同的黏度決定了該膠的不同的涂膠厚度。

3.抗蝕性(Anti-etching)

光刻膠必須保持它的粘附性,在后續(xù)的刻蝕工序中保護(hù)襯底表面。耐熱穩(wěn)定性、抗刻蝕能力和抗離子轟擊能力。  

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光刻膠

在曝光過(guò)程中,正性膠通過(guò)感光化學(xué)反應(yīng),切斷樹脂聚合體主鏈和從鏈之間的聯(lián)系,達(dá)到削弱聚合體的目的,所以曝光后的光刻膠在隨后顯影處理中溶解度升高。曝光后的光刻膠溶解速度幾乎是未曝光的光刻膠溶解速度的10倍。而負(fù)性膠,在感光反應(yīng)過(guò)程中主鏈的隨機(jī)十字鏈接更為緊密,并且從鏈下墜物增長(zhǎng),所以聚合體的溶解度降低。見正性膠在曝光區(qū)間顯影,負(fù)性膠則相反。負(fù)性膠由于曝光區(qū)間得到保留,漫射形成的輪廓使顯影后的圖像為上寬下窄的圖像,而正性膠相反,為下寬上窄的圖像。

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光刻膠是微電子技術(shù)中微細(xì)圖形加工的關(guān)鍵材料之一,特別是近年來(lái)大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路的發(fā)展,更是大大促進(jìn)了光刻膠的研究開發(fā)和應(yīng)用。印刷工業(yè)是光刻膠應(yīng)用的另一重要領(lǐng)域。

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