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光刻膠的相關信息
利用這種性能,將光刻膠作涂層,就能在硅片表面刻蝕所需的電路圖形?;诟泄鈽渲幕瘜W結構,光刻膠可以分為三種類型。
光聚合型采用烯類單體,在光作用下生成自由基,自由基再進一步引發(fā)單體聚合,后生成聚合物,具有形成正像的特點。光分解型采用含有疊氮醌類化合物的材料,經(jīng)光照后,會發(fā)生光分解反應,由油溶性變?yōu)樗苄?,可以制成正性膠。光交聯(lián)型采用聚乙烯醇月桂酸酯等作為光敏材料,在光的作用下,其分子中的雙鍵被打開,并使鏈與鏈之間發(fā)生交聯(lián),形成一種不溶性的網(wǎng)狀結構,而起到抗蝕作用,這是一種典型的負性光刻膠??逻_公司的產(chǎn)品KPR膠即屬此類。
光刻膠的組成部分
光刻膠一般由4種成分組成:樹脂型聚合物、光活性物質(zhì)、溶劑和添加劑。樹脂是光刻膠中占比較大的組分,構成光刻膠的基本骨架,主要決定曝光后光刻膠的基本性能,包括硬度、柔韌性、附著力、耐腐蝕性、熱穩(wěn)定性等。光活性物質(zhì)是光刻膠的關鍵組分,對光刻膠的感光度、分辨率等其決定性作用。
分辨率、對比度和敏感度是光刻膠的核心技術參數(shù)。隨著集成電路的發(fā)展,芯片制造特征尺寸越來越小,對光刻膠的要求也越來越高。光刻膠的核心技術參數(shù)包括分辨率、對比度和敏感度等。為了滿足集成電路發(fā)展的需要,光刻膠朝著高分辨率、高對比度以及高敏感度等方向發(fā)展。
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光刻膠的參數(shù)介紹
1.對比度(Contrast)
對比度指光刻膠從曝光區(qū)到非曝光區(qū)過渡的陡度。 對比度越好,越容易形成側壁陡直的圖形和較高的寬高比。
2.粘滯性/黏度 (Viscosity)
衡量光刻膠流動特性的參數(shù)。黏度通??梢允褂霉饪棠z中聚合物的固體含量來控制。同一種光刻膠根據(jù)濃度不同可以有不同的黏度,而不同的黏度決定了該膠的不同的涂膠厚度。
3.抗蝕性(Anti-etching)
光刻膠必須保持它的粘附性,在后續(xù)的刻蝕工序中保護襯底表面。耐熱穩(wěn)定性、抗刻蝕能力和抗離子轟擊能力。