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光刻膠簡(jiǎn)介
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光刻膠是微電子技術(shù)中微細(xì)圖形加工的關(guān)鍵材料之一,特別是近年來大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路的發(fā)展,更是大大促進(jìn)了光刻膠的研究開發(fā)和應(yīng)用。印刷工業(yè)是光刻膠應(yīng)用的另一重要領(lǐng)域。1954 年由明斯克等人首先研究成功的就是用于印刷工業(yè)的,以后才用于電子工業(yè)。 [1] 光刻膠是一種有機(jī)化合物,它被紫外光曝光后,在顯影溶液中的溶解度會(huì)發(fā)生變化。硅片制造中所用的光刻膠以液態(tài)涂在硅片表面,而后被干燥成膠膜。
光刻膠的概述
光刻膠也稱為光致抗蝕劑,是一種光敏材料,它受到光照后特性會(huì)發(fā)生改變。光刻膠主要用來將光刻掩膜版上的圖形轉(zhuǎn)移到晶圓片上。
光刻膠有正膠和負(fù)膠之分。正膠經(jīng)過曝光后,受到光照的部分變得容易溶解,經(jīng)過顯影后被溶解,只留下未受光照的部分形成圖形;而負(fù)膠卻恰恰相反,經(jīng)過曝光后,受到光照的部分會(huì)變得不易溶解,經(jīng)過顯影后,留下光照部分形成圖形。
負(fù)膠在光刻工藝上應(yīng)用早,其工藝成本低、產(chǎn)量高,但由于它吸收顯影液后會(huì)膨脹,導(dǎo)致其分辨率(即光刻工藝中所能形成圖形)不如正膠,因此對(duì)于亞微米甚至更小尺寸的加工技術(shù),主要使用正膠作為光刻膠。
正性光刻膠的結(jié)構(gòu)
光學(xué)光刻膠通常包含以下三種成分:(1)聚合物材料(也稱為樹脂)。聚合物材料在光的輻照下不發(fā)生化學(xué)反應(yīng),其主要作用是保證光刻膠薄膜的附著性和抗腐蝕性,同時(shí)也決定著光刻膠薄膜的其他一些特性(如光刻膠的膜厚要求、彈性要求和熱穩(wěn)定性要求等)。(2)感光材料。感光材料一般為復(fù)合性物質(zhì)(簡(jiǎn)稱PAC或感光劑)。感光劑在受光輻照之后會(huì)發(fā)生化學(xué)反應(yīng)。正膠的感光劑在未曝光區(qū)域起抑制溶解的作用,可以減慢光刻膠在顯影液中的溶解速度。以正性膠為例,使用g射線和i射線光刻中的正性膠是由重氮醌(簡(jiǎn)稱為DQ)感光劑和酚樹脂構(gòu)成。(3)溶劑(如丙二醇-,PGME)。溶劑的作用是使光刻膠在涂覆到硅片表面之前保持為液態(tài)
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光刻膠的作用有什么?
光刻是將圖形由掩膜版上轉(zhuǎn)移到硅片上,為后續(xù)的刻蝕步驟作準(zhǔn)備。在光刻過程中,需在硅片上涂一層光刻膠,經(jīng)紫外線曝光后,光刻膠的化學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化,在通過顯影后,被曝光的光刻膠將被去除,從而實(shí)現(xiàn)將電路圖形由掩膜版轉(zhuǎn)移到光刻膠上。再經(jīng)過刻蝕過程,實(shí)現(xiàn)電路圖形由光刻膠轉(zhuǎn)移到硅片上。在刻蝕過程中,光刻膠起防腐蝕的保護(hù)作用。