頭部集成了薄膜厚度測(cè)量所需功能

通過(guò)顯微光譜法測(cè)量高i精度絕i對(duì)反射率（多層膜厚度，光學(xué)常數(shù)）

1點(diǎn)1秒高速測(cè)量

顯微分光下廣范圍的光學(xué)系統(tǒng)（紫外至近紅外）

區(qū)域傳感器的安全機(jī)制

易于分析向?qū)?，初學(xué)者也能夠進(jìn)行光學(xué)常數(shù)分析

獨(dú)立測(cè)量頭對(duì)應(yīng)各種inline客制化需求

支持各種自定義

測(cè)量項(xiàng)目：

絕i對(duì)反射率測(cè)量

多層膜解析

光學(xué)常數(shù)分析（n：折射率，k：消光系數(shù)）

大塚電子（蘇州）有限公司主要銷(xiāo)售用于光學(xué)特性評(píng)價(jià)?檢查的裝置。其裝置用于在LED、 OLED、汽車(chē)前燈等的光源?照明產(chǎn)業(yè)以及液晶顯示器、有機(jī)EL顯示器等平板顯示產(chǎn)業(yè)以及其相 關(guān)材料的光學(xué)特性評(píng)價(jià)?檢查。歡迎新老客戶(hù)來(lái)電咨詢(xún)！

測(cè)量示例：

SiO 2 SiN [FE-0002]的膜厚測(cè)量

半導(dǎo)體晶體管通過(guò)控制電流的導(dǎo)通狀態(tài)來(lái)發(fā)送信號(hào)，但是為了防止電流泄漏和另一個(gè)晶體管的電流流過(guò)任意路徑，有必要隔離晶體管，埋入絕緣膜。 SiO 2（二氧化硅）或SiN（氮化硅）可用于絕緣膜。 SiO 2用作絕緣膜，而SiN用作具有比SiO 2更高的介電常數(shù)的絕緣膜，或是作為通過(guò)CMP去除SiO 2的不必要的阻擋層。之后SiN也被去除。 為了絕緣膜的性能和精準(zhǔn)的工藝控制，有必要測(cè)量這些膜厚度。



 

為了確保膜厚儀的安全操作，必須注意以下幾點(diǎn)：　　·始終按照操作手冊(cè)的要求操作膜厚儀；　　·不要損壞安全互鎖系統(tǒng)的任何元件，例如微動(dòng)開(kāi)關(guān)等等；　　·不要對(duì)膜厚儀做任何改變。

膜厚測(cè)試儀波譜校準(zhǔn) 　　不關(guān)機(jī)狀態(tài)下每日必做一次或每次關(guān)機(jī)3小時(shí)以上再次重開(kāi)機(jī)必做，目的讓儀器進(jìn)行自我補(bǔ)償調(diào)整。首先點(diǎn)擊任務(wù)欄中的“波譜校準(zhǔn)”，然后將波譜校準(zhǔn)片放入儀器，將Cu-Ag合金部分移至十字線中間，鐳射聚焦，測(cè)量（點(diǎn)擊Go鍵）。待膜厚測(cè)試儀器自動(dòng)完成每一步，紅色STOP鍵會(huì)轉(zhuǎn)變成綠色GO鍵后，將純Ag部分移至十字線中間，鐳射聚焦，測(cè)量（點(diǎn)擊Go鍵），完成后出現(xiàn)“波譜校準(zhǔn)成功”字樣的對(duì)話(huà)框時(shí)，點(diǎn)擊“確定”即可。