PSS在ITO基片上旋涂作為空穴傳輸層,并且在旋涂PEDOT∶PSS的過程中在與ITO玻璃平面垂直的方向施加一個(gè)誘導(dǎo)聚合物取向的高壓電場(chǎng),試驗(yàn)著重研究了所加電場(chǎng)強(qiáng)度對(duì)雙層器件:ITO/PEDOT∶PSS/MEH-PPV/Al器件性能的影響。測(cè)試結(jié)果表明,旋涂時(shí)所加電場(chǎng)的大小對(duì)器件的發(fā)光強(qiáng)度和起亮電壓都有明顯的影響。隨著所加電場(chǎng)的增大,器件發(fā)光強(qiáng)度明顯增加,起亮電壓減小。由此表明:在高電場(chǎng)作用下,聚合物分子鏈沿電場(chǎng)方向發(fā)生了取向,而且隨著電場(chǎng)增強(qiáng)這種取向作用會(huì)表現(xiàn)得越明顯,并且在PEDOT∶PSS膜表層會(huì)形成一個(gè)梯度變化的PSS聚集,使得從ITO到MEH-PPV的功函數(shù)逐漸上升,降低空穴注入勢(shì)壘,增強(qiáng)了空穴的注入效率。5)透明電極熱處理：將制作好的玻璃基片，通過恒溫加熱處理后，自然冷卻至室溫得到透明電極。

單體3，4-乙撐二氧噻吩(EDOT)的合成情況

J、D、Stenger-Smith et．a(chǎn)ll于1998年采用下述方法合成了EDOT。而且制備的PEDOT薄膜結(jié)構(gòu)規(guī)整、電導(dǎo)率高，同時(shí)薄膜與電極的粘結(jié)力較強(qiáng)。反應(yīng)從l代二甘酸(HOOCH –s-CH COOH)開始，通過一系列的步驟合成2，5-二羧酸-3、4-乙撐二氧噻吩，然后通過催化劑脫羧而制成了3、4-乙撐二氧噻吩

該合成法產(chǎn)率低，成本高。改進(jìn)或找到一種新的合成方法以提高EDOT的產(chǎn)率、降低生產(chǎn)成本是當(dāng)前科研工作者的主要任務(wù)。筆者在合成EDOT的過程中對(duì)該方法進(jìn)行了一些改進(jìn)，如引入相轉(zhuǎn)移催化劑和沸石分子篩，提高了EDOT的產(chǎn)率。

外量子效率結(jié)果說明，在400nm–1000nm波段，相較于平板結(jié)構(gòu)Si/PEDOT:PSS太陽電池，柔性微米金字塔狀Si/PEDOT:PSS太陽電池具有更強(qiáng)的光子捕獲能力。而電化學(xué)阻抗譜進(jìn)一步表明，后者具有更小的串聯(lián)電阻和更大的復(fù)合電阻，從而，導(dǎo)致后者的光電轉(zhuǎn)化效率較高。此外，經(jīng)過600次的機(jī)械彎折測(cè)試后，柔性微米金字塔狀Si/PEDOT:PSS太陽電池呈現(xiàn)很好的光伏穩(wěn)定性。此為柔性Si/PEDOT:PSS雜化太陽電池在下一代便攜式電子設(shè)備的實(shí)際應(yīng)用奠定了基礎(chǔ)。利用金屬薄膜提高電極的方塊電阻，然而，PEDOT:PSS薄膜的導(dǎo)電率（500-1000S/cm）有待提高。