晶振

在振蕩器應用上，振蕩器總是選擇很強的模式工作。一些干擾模式有急劇升降的頻率—溫度特性。有時候，當溫度發(fā)生改變，在一定溫度下，寄生模的頻率與振蕩頻率一致，這導致了“活動性下降”。在活動性下降時，寄生模的激勵引起諧振器的額外能量的消耗，導致Q 值的減小，等效串聯(lián)電阻增大及振蕩器頻率的改變。當阻抗增加到相當大的時候，振蕩器就會停止，即振蕩器失效。當溫度改變遠離活動性下降的溫度時，振蕩器又會重新工作。寄生模能有適當?shù)脑O計和封裝方法控制。不斷修正電極與晶片的尺寸關系（即應用能陷原則），并保持晶片主平面平行，這樣就能把寄生模很小化。

晶振指標

標稱頻率：振蕩器輸出的中心頻率或頻率的標稱值。

頻率準確度：振蕩器輸出頻率在室溫（25℃±2℃）下相對于標稱頻率的偏差。

調整頻差：在溫度范圍內振蕩器輸出頻率相對于25℃時測量值允許頻率偏差。

負載諧振頻率（fL）：在規(guī)定條件下，晶體與一負載電容相串聯(lián)或相并聯(lián)，其組合阻抗呈現(xiàn)為電阻性時（產(chǎn)生諧振）的兩個頻率中的一個頻率。在串聯(lián)負載電容時，負載諧振頻率是兩個頻率中較低的一個，在并聯(lián)負載電容時，則是兩個頻率中較高的一個。

靜電容：等效電路中與串聯(lián)臂并接的電容，也叫并電容，通常用C0表示。

工作溫度范圍：能夠保證振蕩器輸出頻率及其化各種特性符合指標的溫度范圍。

頻率溫度穩(wěn)定度：在標稱電源和負載下，工作在規(guī)定溫度范圍內的不帶隱含基準溫度或帶隱含基準溫度允許頻偏。

負載電容：與晶體一起決定負載諧振頻率FL的有效外界電容，用CL表示。