選擇振蕩器時需要考慮哪些因素

選擇振蕩器時需要考慮功耗。分立振蕩器的功耗主要由反饋放大器的電源電流以及電路內(nèi)部的電容值所決定。CMOS放大器功耗與工作頻率成正比，可以表示為功率耗散電容值。比如，HC04反相器門電路的功率耗散電容值是90pF。在4MHz、5V電源下工作時，相當(dāng)于1.8mA的電源電流。再加上20pF的晶振負(fù)載電容，整個電源電流為2.2mA。陶瓷諧振槽路一般具有較大的負(fù)載電容，相應(yīng)地也需要更多的電流。相比之下，晶振模塊一般需要電源電流為10mA ~60mA。硅振蕩器的電源電流取決于其類型與功能，范圍可以從低頻（固定）器件的幾個微安到可編程器件的幾個毫安。一種低功率的硅振蕩器，如MAX7375，工作在4MHz時只需不到2mA的電流。在特定的應(yīng)用場合優(yōu)化時鐘源需要綜合考慮以下一些因素：精度、成本、功耗以及環(huán)境需求。

差分晶振和壓控晶振

1、差分晶振

差分晶體振蕩器(DXO)是目前行業(yè)中公認(rèn)高技術(shù)，高要求的一款晶體振蕩器，是指輸出差分信號使用2種相位彼此完全相反的信號,從而消除了共模噪聲。差分晶振一般為六腳貼片，輸出類型分為好幾種,LVDS,LV-PECL，具有低電平,低抖動，低功耗等特性。

2、壓控晶振

壓控晶體振蕩器(VCXO)是一種可通過調(diào)整外加電壓使晶振輸出頻率隨之改變的晶體振蕩器，主要用于鎖相環(huán)路或頻率微調(diào)。壓控晶振的頻率控制范圍及線性度主要取決于電路所用變?nèi)荻O管及晶體參數(shù)兩者的組合，通常用于鎖相環(huán)路。

晶體振蕩器原理

晶振常與電腦主板、南橋、外置聲卡等電源電路聯(lián)接應(yīng)用。晶振可形容為各主控板的“心率”產(chǎn)生器，假如一類卡的“心率”發(fā)生難題，一定會使別的各電源電路發(fā)生常見故障。利用該特點，晶振能夠給予較平穩(wěn)的單脈沖，廣泛運用于微集成ic的晶振電路里。晶片多見石英石半導(dǎo)體器件，機(jī)殼用金屬封裝。

石英石晶體振蕩器，通稱晶振電路，是利用具備熱電效應(yīng)的石英晶體片做成的。這類石英晶體片狀遭受另加交變電場的功效的時候會造成振動分析，當(dāng)交變電場的頻率與石英晶體的共振頻率同樣時，震動便越來越很明顯，這就是結(jié)晶諧振特性的反映。利用這類特性，就可以用石英石諧振器替代LC(電磁線圈和電容器)諧振控制回路、過濾器等。