近兩年IGBT測(cè)試儀持續(xù)火爆，新能源汽車，軌道交通，風(fēng)力發(fā)電等等都需要大量的IGBT模塊，所以我們?nèi)A科智源推出了大功率IGBT測(cè)試儀，可以測(cè)試1200A，5000V以內(nèi)的IGBT模塊，基本可以涵蓋現(xiàn)階段的IGBT模塊的測(cè)試了，我們IGBT測(cè)試儀還可以在線檢測(cè)模塊的電性能參數(shù)，對(duì)一些檢修，維護(hù)領(lǐng)域的工作有比較好的幫助，目前國(guó)內(nèi)我們?nèi)A科智源不光是IGBT靜態(tài)測(cè)試儀，包括動(dòng)態(tài)測(cè)試儀，與國(guó)際品牌的設(shè)備也可以放在一起競(jìng)爭(zhēng)了，而且我們不怕競(jìng)爭(zhēng)，這對(duì)我們是一種促進(jìn)。2反向恢復(fù)技術(shù)條件 測(cè)試參數(shù)： 1、Irr(反向恢復(fù)電流)：50～1000A 50～200A±3%±1A 200～1000A±3%±2A 2、Qrr(反向恢復(fù)電荷)：1～1000uC 1～50uC±5%±0。

半導(dǎo)體元件除了本身功能要良好之外，其各項(xiàng)參數(shù)能否達(dá)到電路上的要求，必須定期測(cè)量，否則產(chǎn)品的質(zhì)量特性很難保證，尤其是較大的功率元件，因具有耗損性，易老化及效率降低，因不平衡導(dǎo)致燒毀，甚至在使用中會(huì)發(fā)生。機(jī)車、汽車、船舶控制系統(tǒng)生產(chǎn)廠——應(yīng)用本公司測(cè)試系統(tǒng)可對(duì)所應(yīng)用到的元器件，尤其對(duì)。所以對(duì)新產(chǎn)品及使用中的元件參數(shù)的篩選及檢查更為重要。 半導(dǎo)體元件的每一個(gè)參數(shù)，依其極性的不同，都須要一個(gè)獨(dú)特的測(cè)量電路，我公司所設(shè)計(jì)生產(chǎn)的半導(dǎo)體元件自動(dòng)測(cè)試系統(tǒng)，具有一組繼電器形成的矩陣電路，依每個(gè)參數(shù)的定義，形成千變?nèi)f化的電路，再依元件的出廠規(guī)格加上額定的電流或電壓后，在極短的時(shí)間內(nèi)將所須要的數(shù)據(jù)量測(cè)出來(lái)，且有些參數(shù)從量測(cè)的數(shù)據(jù)經(jīng)快速運(yùn)算即可得知其特性是否在規(guī)定范圍內(nèi)。

現(xiàn)今Power MOSFET(金屬氧化物場(chǎng)效晶體管)及IGBT（絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)晶體管）已成為大功率元件的主流，在市場(chǎng)上居于主導(dǎo)地位。1V 3）集電極-發(fā)射極電壓 集電極電壓VCES： 100-5000V±2%±10V 集電極電流ICES： 0。由于科技進(jìn)步，電力電子裝置對(duì)輕薄短小及之要求 ,帶動(dòng)MOSFET及IGBT的發(fā)展，尤其應(yīng)用于電氣設(shè)備、光電、航天、鐵路、電力轉(zhuǎn)換....等領(lǐng)域，使半導(dǎo)體開(kāi)發(fā)技術(shù)人員在市場(chǎng)需求下，對(duì)大功率元件的發(fā)展技術(shù)，持續(xù)在突破。

什么是大功率半導(dǎo)體元件？其用途為何？

凡是半導(dǎo)體元件如金屬氧化場(chǎng)效晶體管(MOSFET)、IGBT(INSULATED GATE B.TRANSISTOR)及TRIAC（可控硅）、SCR（晶閘管）、 GTO等各型閘流體與二極管(DI ODE)等，其工作電流與電壓乘積若大于1KW以上，均可屬于大功率的范圍。2測(cè)試對(duì)象 IGBT、FRD、肖特基二極管等功率半導(dǎo)體模塊 2。如下圖片所示。此類元件多用于車船，工廠的動(dòng)力，光電及其他能源的轉(zhuǎn)換上。