直流磁控濺射技術

為了解決陰極濺射的缺陷，人們在20世紀開發(fā)出了直流磁控濺射技術，它有效地克服了陰極濺射速率低和電子使基片溫度升高的弱點，因而獲得了迅速發(fā)展和廣泛應用。其原理是：在磁控濺射中，由于運動電子在磁場中受到洛侖茲力，它們的運動軌跡會發(fā)生彎曲甚至產生螺旋運動，其運動路徑變長，因而增加了與工作氣體分子碰撞的次數(shù)，使等離子體密度增大，從而磁控濺射速率得到很大的提高，而且可以在較低的濺射電壓和氣壓下工作，降低薄膜污染的傾向；另一方面也提高了入射到襯底表面的原子的能量，因而可以在很大程度上改善薄膜的質量。同時，經過多次碰撞而喪失能量的電子到達陽極時，已變成低能電子，從而不會使基片過熱。無心插柳技術性的出現(xiàn)和運用早已親身經歷了很多環(huán)節(jié),當初,僅僅簡易的二極、三極充放電無心插柳堆積。因此磁控濺射法具有“高速”、“低溫”的優(yōu)點。該方法的缺點是不能制備絕緣體膜，而且磁控電極中采用的不均勻磁場會使靶材產生顯著的不均勻刻蝕，導致靶材利用率低，一般僅為20%-30%。

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我國真空鍍膜機行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀和前景分析

隨著工業(yè)技術的不斷發(fā)展，對材料的綜合性能要求也不斷提高，單一材料性能已不能滿足某些特定環(huán)境下工作機械的性能要求。國內真空離子鍍膜機經過幾十年的發(fā)展，相對于國外高1端鍍膜設備而言，在自動化程度與技術上取得了一定的進步，但在鍍膜產品穩(wěn)定性和準確性方面尚需提升，高1端設備仍依賴進口。做窗膜磁控濺射鍍膜的應多去看看玻璃行業(yè)的low-e鍍膜，多些交流。同時多弧離子鍍膜機低端產品市場存在供大于求的情況，價格競爭較為激烈。

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磁控濺射

磁控濺射法是在高真空充入適量的ya氣，在陰極(柱狀靶或平面靶)和陽極(鍍膜室壁) 之間施加幾百K 直流電壓，在鍍膜室內產生磁控型異常輝光放電，使ya氣發(fā)生電離。

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