江門鈥激光光纖報價多重優(yōu)惠「欣貝」

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發(fā)布時間：2021-09-07 16:27

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IGBT模塊在使用時的損壞原因

IGBT在使用過程中經常受到容性或感性負載的沖擊，承受過負荷甚至負載短路等，可能導致IGBT損壞。IGBT模塊在使用時的損壞原因主要有以下情況——過電壓損壞和靜電損壞

IGBT在關斷時，由于逆變電路中存在電感成分，關斷瞬間產生尖峰電壓，如果尖峰電壓超過IGBT器件的1高峰值電壓，將造成IGBT擊穿損壞。IGBT過電壓損壞可分為集電極-柵極過電壓、柵極-發(fā)射極過電壓、高du/dt過壓電等。大多數(shù)過電壓保護的電路設計都比較完善，但是對于由高du/dt所導致的過電壓故障，基本上都是采用無感電容或者RCD結構吸收電路。由于吸收電路設計的吸收容量不夠而造成IGBT損壞，對此可采用電壓鉗位，往往在集電極-柵極兩端并接齊納二極管，采用柵極電壓動態(tài)控制，當集電極電壓瞬間超過齊納二極管的鉗位電壓時，超出的電壓將疊加在柵極上（米勒效應起作用），避免了IGBT因受集電極發(fā)射極過電壓而損壞。啟動設備時,先把鑰匙開關從(0)位轉到(II)位,停留約三秒鐘以后松開,鑰匙開關會回到(I)位。

采用柵極電壓動態(tài)控制可以解決過高的du/dt帶來的集電極發(fā)射極瞬間過電壓問題，但是它的弊端是當IGBT處于感性負載運行時，半橋結構中處于關斷的IGBT，由于其反并聯(lián)二極管（續(xù)流二極管）的恢復，其集電極-發(fā)射極兩端的電壓急劇上升，從而承受瞬間很高的du/dt。多數(shù)情況下，該du/dt值要比IGBT正常關斷時的集電極-發(fā)射極電壓上升率高，由于米勒電容( Cres)的存在，該du/dt值將在集電極和柵極之間產生一個瞬間電流，流向柵極驅動電路。該電流與柵極電路的阻抗相互作用，直接導致柵極-發(fā)射極電壓UGE值的升高，甚至超過IGBT的開通門限電壓UGE(th)值。出現(xiàn)惡劣的情況就是使IGBT被誤觸發(fā)導通，導致變換器的橋臂短路。維修服務：鈥激光維修、鈥激光租賃、鈥激光光纖Litho利索系列鈥激光的脈寬可調范圍大，當治1療硬結1石時，可使用短脈寬硬結1石模式。

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鈥激光是以釔鋁石榴石（YAG）、激1活離子鈥（Ho）等激光晶體制成的脈沖固體激光裝置產生的新型激光。鈥激光是波長2.1μm的脈沖式激光，是目前眾多外1科手術用激光中1新的一種。產生的能量可使光纖末端與結1石之間的水汽化，形成微小的空泡，并將能量傳至結1石，使結1石粉碎成粉末狀。水吸收了大量的能量，減少了對周圍組織的損傷。同時鈥激光對人體組織的穿透深度很淺，僅為0.4mm。因此在碎石時可以做到對周圍組織損傷1小，安全性極高。鈥激光的應用，使泌尿系結1石的治1療邁上了一個新臺階。在使用激光前務必確保Blastshield和手術光纖都是完好的,其中任何一個有問題,手術都不可以進行。