憑借較小的導(dǎo)通電阻及其在高溫下的性能

憑借較小的導(dǎo)通電阻及其在高溫下的性能，如今 SiC 已成為下一代低損耗開關(guān)和阻斷元件可行的候選材料。相較于硅器件，SiC 器件具有眾多優(yōu)勢，因為后者具有更高的擊穿電壓及其他特性，包括：臨界電場擊穿電壓更高，因而在給定的額定電壓下工作時漂移層更薄，大幅減小導(dǎo)通電阻。導(dǎo)熱率更高，因而在橫截面上可以實現(xiàn)更高的電流密度。帶隙更寬，因而高溫下的漏電流較小。因此，SiC 二極管和 FET 常稱為寬帶隙 (WBG) 器件。

推拉檢查應(yīng)先推拉容易接地的回路,依次推拉事故照明、防誤閉鎖裝

推拉檢查應(yīng)先推拉容易接地的回路，依次推拉事故照明、防誤閉鎖裝置回路、戶外合閘回路、戶內(nèi)合閘回路、6～10kV控制回路、其他控制回路、主控制室信號回路、主控制室控制回路、整流裝置和蓄電池回路。凡涉及繼電保護及自動裝置的直流電源回路在拉路前應(yīng)征得調(diào)度同意，停用相應(yīng)保護裝置并做好安全措施后執(zhí)行。查找和處理直流接地時工作人員應(yīng)戴線手套、穿長袖工作服。應(yīng)使用內(nèi)阻大于2000Ω/V的高內(nèi)阻電壓表，工具應(yīng)絕緣良好。防止在查找和處理過程中造成新的接地。

硅穩(wěn)壓管并聯(lián)穩(wěn)壓電路元件選擇的第三步

對于并聯(lián)穩(wěn)壓電路而言，限流電阻R2是整個電路工作好壞的關(guān)鍵。R2選擇大，穩(wěn)壓效果較好，但功耗大(因為電阻功耗P=I2R)，同時要求輸入電壓增大，電源的效率就比較低。具體計算方法可參考硅穩(wěn)壓管并聯(lián)穩(wěn)壓電路元件選擇的第三步。整個電路的穩(wěn)定度需要根據(jù)實際電路的要求來確定，如果穩(wěn)定度不夠，可以適當(dāng)增加R1和UI，還可以選擇β值較大、漏電流較小的調(diào)整管。為保證穩(wěn)壓電源的效率，輸入電壓一般不要選擇過高，以不超過2 UI為宜。