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真空鍍膜的形式

濺射鍍膜（sputtering）：用高能粒子轟擊固體表面時(shí)能使固體表面的粒子獲得能量并逸出表面，沉積在基片上。通常將欲沉積的材料制成板材-靶，固定在陰極上，可濺射W. Ta，C，Mo， WC、TiC等難熔物質(zhì)。濺射化合物膜可用反應(yīng)濺射法，**車燈杯定做，即將反應(yīng)氣體（0、N等）加入Ar氣中，**車燈杯價(jià)格，反應(yīng)氣體及其離子與靶原子或?yàn)R射原子發(fā)生反應(yīng)生成化合物（如氧化物、氮化物等）而沉積在基片上，沉積絕緣膜可采用高頻濺射法。新型的濺鍍設(shè)備幾乎都使用強(qiáng)力磁鐵將電子成螺旋狀運(yùn)動以加速靶材周圍的y氣離子化，造成靶與y氣離子間的撞擊機(jī)率增加，提高濺鍍速率。一般金屬鍍膜大都采用直流（DC）濺鍍，而不導(dǎo)電的陶瓷材料則使用射頻（RF）交流濺鍍。

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離子鍍（ion plating）燕發(fā)物質(zhì)的分子被電子碰撞電離后以離子沉積在固體表面，稱為離子鍍。與濺鍍類似，白坭**車燈杯，但是將基板與周圍保持0.5-2KV的負(fù)電壓， 使基板的前端產(chǎn)生暗區(qū)（dark pace），在此狀態(tài)下由蒸發(fā)源放出的金屬蒸氣在輝光放電的電漿(plasma）中形成離子，再被暗區(qū)加速后打到基板形成披覆。

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