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所述邏輯電路的采樣端口作為所述控制芯片12的采樣端口cs,高壓端口作為所述控制芯片12的高壓端口hv,接地端口作為所述控制芯片12的接地端口gnd。所述控制芯片12設(shè)置于所述采樣基島18上,接地端口gnd連接所述信號地管腳gnd,漏極端口d經(jīng)由所述漏極基島15連接所述漏極管腳drain,采樣端口cs經(jīng)由所述采樣基島18連接所述采樣管腳cs,高壓端口hv連接所述高壓供電管腳hv。本實施例的合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)采用四基島架構(gòu),將整流橋、功率開關(guān)管、邏輯電路、高壓續(xù)流二極管及瞬態(tài)二極管集成在一個引線框架內(nèi),由此降低封裝成本。如圖6所示,本實施例還提供一種電源模組,所述電源模組包括:本實施例的合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)1,第四電容c4,變壓器,二極管d,第五電容c5,負(fù)載及第三采樣電阻rcs3。如圖6所示,所述合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)1的火線管腳l連接火線,零線管腳n連接零線,信號地管腳gnd接地,浙江優(yōu)勢西門康整流橋模塊工廠直銷,浙江優(yōu)勢西門康整流橋模塊工廠直銷。如圖6所示,所述第四電容c4的一端連接所述合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)1的高壓供電管腳hv,另一端接地。如圖6所示,所述變壓器的圈一端連接所述合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)1的高壓供電管腳hv,另一端連接所述合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)1的漏極管腳drain,浙江優(yōu)勢西門康整流橋模塊工廠直銷。可將交流發(fā)動機產(chǎn)生的交流電轉(zhuǎn)變?yōu)橹绷麟?,以實現(xiàn)向用電設(shè)備供電和向蓄電池進行充電。浙江優(yōu)勢西門康整流橋模塊工廠直銷
所述邏輯電路的采樣端口作為所述控制芯片12的采樣端口cs,高壓端口作為所述控制芯片12的高壓端口hv,接地端口作為所述控制芯片12的接地端口gnd。所述控制芯片12設(shè)置于所述采樣基島18上,接地端口gnd連接所述信號地管腳gnd,漏極端口d經(jīng)由所述漏極基島15連接所述漏極管腳drain,采樣端口cs經(jīng)由所述采樣基島18連接所述采樣管腳cs,高壓端口hv連接所述高壓供電管腳hv。本實施例的合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)采用四基島架構(gòu),將整流橋、功率開關(guān)管、邏輯電路、高壓續(xù)流二極管及瞬態(tài)二極管集成在一個引線框架內(nèi),由此降低封裝成本。如圖6所示,本實施例還提供一種電源模組,所述電源模組包括:本實施例的合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)1,第四電容c4,變壓器,二極管d,第五電容c5,負(fù)載及第三采樣電阻rcs3。如圖6所示,所述合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)1的火線管腳l連接火線,零線管腳n連接零線,信號地管腳gnd接地。如圖6所示,所述第四電容c4的一端連接所述合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)1的高壓供電管腳hv,另一端接地。如圖6所示,所述變壓器的圈一端連接所述合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)1的高壓供電管腳hv,另一端連接所述合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)1的漏極管腳drain。浙江優(yōu)勢西門康整流橋模塊工廠直銷整流橋由控制器的控制角控制, 當(dāng)控制角為0°~90°時, 整流橋處于整流狀態(tài), 輸出電壓的平均值為正。
而是檢測電源變壓器,因為幾只整流二極管同時出現(xiàn)相同故障的可能性較小。(2)對于某一組整流電路出現(xiàn)故障時,可按前面介紹的故障檢測方法進行檢查。這一電路中整流二極管中的二極管VD1和VD3、VD2和VD4是直流電路并聯(lián)的,進行在路檢測時會相互影響,所以準(zhǔn)確的檢測應(yīng)該將二極管脫開電路。4.電路故障分析如表9-29所示是正、負(fù)極性全波整流電路的故障分析。如圖9-25所示是典型的正極性橋式整流電路,VD1~VD4是一組整流二極管,T1是電源變壓器。圖9-25正極性橋式整流電路橋式整流電路具有下列幾個明顯的電路特征和工作特點:(1)每一組橋式整流電路中要用四只整流二極管,或用一只橋堆(一種4只整流二極管組裝在一起的器件)。(2)電源變壓器次級線圈不需要抽頭。(3)對橋式整流電路的分析與全波整流電路基本一樣,將交流輸入電壓分成正、負(fù)半周兩種情況進行。(4)每一個半周交流輸入電壓期間內(nèi),有兩只整流二極管同時串聯(lián)導(dǎo)通,另兩只整流二極管同時串聯(lián)截止,這與半波和全波整流電路不同,分析整流二極管導(dǎo)通電流回路時要了解這一點。
在上述的二極管、引腳銅板、連接銅板以及連接導(dǎo)線的周圍充滿了作為絕緣、導(dǎo)熱的骨架填充物質(zhì)--環(huán)氧樹脂。然而,環(huán)氧樹脂的導(dǎo)熱系數(shù)是比較低的(一般為℃W/m,高為℃W/m),因此整流橋的結(jié)--殼熱阻一般都比較大(通常為℃/W)。通常情況下,在元器件的相關(guān)參數(shù)表里,生產(chǎn)廠家都會提供該器件在自然冷卻情況下的結(jié)-環(huán)境的熱阻(Rja)和當(dāng)元器件自帶一散熱器,通過散熱器進行器件冷卻的結(jié)--殼熱阻(Rjc)。折疊自然冷卻一般而言,對于損耗比較小(<)的元器件都可以采用自然冷卻的方式來解決元器件的散熱問題。當(dāng)整流橋的損耗不大時,可采用自然冷卻方式來處理。此時,整流橋的散熱途徑主要有以下兩個方面:整流橋的殼體(包括前后兩個比較大的散熱面和上下與左右散熱面)和整流橋的四個引腳。通常情況下,整流橋的上下和左右的殼體表面積相對于前后面積都比較小,因此在分析時都不考慮通過這四個面(上下與左右表面)的散熱。在這兩個主要的散熱途徑中,由于自然冷卻散熱的換熱系數(shù)一般都比較小(<10W/m2C),并且整流橋前后散熱面的面積也比較小,因此實際上通過該途徑的散熱量也是十分有限的;由于引腳銅板是直接與發(fā)熱元器件(二級管)相連接的,并且其材料為銅,導(dǎo)熱性能很好。一般整流橋應(yīng)用時, 常在其負(fù)載端接有平波電抗器, 故可將其負(fù)載視為恒流源。
所述火線管腳l、所述零線管腳n、所述高壓供電管腳hv及所述漏極管腳drain與臨近管腳之間的間距一般設(shè)置為大于2mm,不能低于,包括但不限于~2mm,2mm~3mm,進而滿足高壓的安全間距要求。作為本實施例的一種實現(xiàn)方式,所述信號地管腳gnd的寬度大于,進一步設(shè)置為~1mm,以加強散熱,達到封裝熱阻的作用。在本實施例中,如圖1所示,所述火線管腳l、所述高壓供電管腳hv及所述漏極管腳drain位于所述塑封體11的一側(cè),所述零線管腳n、所述信號地管腳gnd及所述采樣管腳cs位于所述塑封體11的另一側(cè)。需要說明的是,各管腳的排布位置及間距可根據(jù)實際需要進行設(shè)定,不以本實施例為限。如圖1所示,所述整流橋的一交流輸入端通過基島或引線連接所述火線管腳,第二交流輸入端通過基島或引線連接所述零線管腳,一輸出端通過基島或引線連接所述高壓供電管腳,第二輸出端通過基島或引線連接所述信號地管腳。具體地,作為本實用新型的一種實現(xiàn)方式,所述整流橋包括四個整流二極管,各整流二極管的正極和負(fù)極分別通過基島或引線連接至對應(yīng)管腳。在本實施例中,所述整流橋采用兩個n型二極管及兩個p型二極管實現(xiàn),其中,一整流二極管dz1及第二整流二極管dz2為n型二極管。特點是方便小巧。不占地方。浙江優(yōu)勢西門康整流橋模塊工廠直銷
整流橋的結(jié)--殼熱阻一般都比較大(通常為℃/W)。浙江優(yōu)勢西門康整流橋模塊工廠直銷
包括但不限于高壓供電基島13或漏極基島15)或不同基島(包括但不限于高壓供電基島13及漏極基島15),在此不一一贅述。作為本實施例的一種實現(xiàn)方式,如圖5所示,所述整流橋設(shè)置于火線基島16及零線基島17上。具體地,所述整流橋采用兩個n型二極管及兩個p型二極管實現(xiàn),其中,第五整流二極管dz5及第六整流二極管dz6為n型二極管,所述第七整流二極管dz7及第八整流二極管dz8為p型二極管。所述第五整流二極管dz5的負(fù)極通過導(dǎo)電膠或錫膏粘接于所述火線基島16上,正極通過金屬引線連接所述信號地管腳gnd。所述第六整流二極管dz6的負(fù)極通過導(dǎo)電膠或錫膏粘接于所述零線基島17上,正極通過金屬引線連接所述信號地管腳gnd。所述第七整流二極管dz7的正極通過導(dǎo)電膠或錫膏粘接于所述火線基島16上,負(fù)極通過金屬引線連接所述高壓供電管腳hv。所述第八整流二極管dz8的正極通過導(dǎo)電膠或錫膏粘接于所述零線基島17上,負(fù)極通過金屬引線連接所述高壓供電管腳hv。作為本實施例的一種實現(xiàn)方式,如圖5所示,所述控制芯片12包括功率開關(guān)管及邏輯電路。所述功率開關(guān)管的漏極作為所述控制芯片12的漏極端口d,源極連接所述邏輯電路的采樣端口,柵極連接所述邏輯電路的控制信號輸出端(輸出邏輯控制信號)。浙江優(yōu)勢西門康整流橋模塊工廠直銷
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