熔煉爐配置二的優(yōu)點(diǎn)與缺點(diǎn)

其優(yōu)點(diǎn):二極管整流，功率因數(shù)高0.95， 可恒功率輸出

缺點(diǎn)：

1.前大功率的串聯(lián)諧振(一拖二)中頻電源在國(guó)內(nèi)還尚未成熟，未普及化。國(guó)內(nèi)生產(chǎn)的設(shè)備的廠(chǎng)家有突出業(yè)績(jī)的也是鳳毛麟角。

2.串聯(lián)諧振中頻電源的逆變器采用IGBT元件，IGBT元件的容量是不能滿(mǎn)足大功率電源穩(wěn)定工作的。國(guó)外公司如:應(yīng)達(dá)公司采用可控硅串聯(lián)諧振中頻電源的逆變器是可以將電源功率做大。但國(guó)內(nèi)對(duì)該技術(shù)還未成熟掌握。

3.單臺(tái)大功率電源配置，當(dāng)電源發(fā)生故障時(shí)，整套設(shè)備將無(wú)法進(jìn)行熔煉工作，從而影響生產(chǎn)。

4.該套設(shè)備成本高，國(guó)內(nèi)的售價(jià)偏高。

5.故障率高，維修難度大，備件互換性不強(qiáng)，金銀合金熔煉爐廠(chǎng)商，維護(hù)成本高。

中頻感應(yīng)熔煉爐

它主要用于熔煉普通碳素鋼、合金鋼、鑄鋼、有色金屬。具有，融化速度快，操作方便等優(yōu)點(diǎn)。這種新型電源是一個(gè)帶有串聯(lián)諧振輸出的電壓型逆變器。逆變部分采用先進(jìn)的IGBT晶體管。這種新型電源的性能在許多方面優(yōu)于可控硅中頻電源。

在串聯(lián)電路中逆變器必須要承擔(dān)和切換流過(guò)爐子線(xiàn)圈的全電流。一般說(shuō)來(lái)，這一電流是并聯(lián)型電源逆變器所切換的回路總電流的10-20倍。由于可控硅存在的本質(zhì)缺陷，使得一但導(dǎo)通后不能隨時(shí)關(guān)斷，因此在故障情況下，保護(hù)可控硅是很困難的事情，而IGBT能在故障情況下被檢測(cè)到信號(hào)瞬間可以關(guān)斷，因而能給電源以良好的保護(hù)。

IGBT晶體管接受到觸發(fā)信號(hào)期間會(huì)維持導(dǎo)通，觸發(fā)信號(hào)會(huì)在任何時(shí)候消失關(guān)斷IGBT。IGBT能在百萬(wàn)分之一秒內(nèi)被關(guān)斷，至今比相同類(lèi)型的可控硅逆變的快100倍。多年來(lái)困擾各用戶(hù)的主要問(wèn)題是可控硅的損壞率太高。維修費(fèi)用大并嚴(yán)重影響生產(chǎn)。而IGBT晶體管電源就安全克服了這一致命的弱點(diǎn)。

感應(yīng)熔煉設(shè)備

熔煉過(guò)程進(jìn)行的反應(yīng)是很迅速的，故熔煉設(shè)備生產(chǎn)率高，每平方米熔池面積的晝夜生產(chǎn)能力達(dá)幾噸乃至幾十噸。這是濕法冶金或電化冶金設(shè)備無(wú)法與之比擬的。除此，金銀合金熔煉爐新款，單臺(tái)設(shè)備的生產(chǎn)能力也很大。常用的熔煉設(shè)備有鼓風(fēng)爐、反射爐、電爐、閃速爐、轉(zhuǎn)爐、短窯和新型熔池熔煉爐等。

熔煉設(shè)備均已大型化，白城金銀合金熔煉爐，過(guò)程已開(kāi)始用計(jì)算機(jī)控制。由于這些熔煉設(shè)備都是在1273K以上高溫和爐渣熔體的侵蝕下工作，金銀合金熔煉爐惠，大都用耐高溫與耐腐蝕的耐火材料構(gòu)筑，或用特別的金屬水套圍砌。在選擇不同耐火材料或水套金屬時(shí)，必須認(rèn)真考慮熔煉所產(chǎn)爐渣的侵蝕性能，同時(shí)也要注意熔體運(yùn)動(dòng)對(duì)爐壁的沖刷與滲透。

感應(yīng)加熱溶鋁爐是節(jié)能的冶煉設(shè)備，利用電磁場(chǎng)渦流原理冶煉，使得電效率大大提高，是中國(guó)近些年來(lái)工業(yè)化進(jìn)步的標(biāo)志，在感應(yīng)加熱技術(shù)的進(jìn)步下，使得的熔煉變得簡(jiǎn)單可靠。

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