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氮化鎵材料刻蝕加工廠——廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所是廣東省科學(xué)院下屬骨干研究院所之一,主要聚焦半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的應(yīng)用技術(shù)研究,感應(yīng)耦合等離子刻蝕材料刻蝕技術(shù),兼顧重大技術(shù)應(yīng)用的基礎(chǔ)研究,立足于廣東省經(jīng)濟(jì)社會(huì)發(fā)展的實(shí)際需要,從事電子信息、半導(dǎo)體領(lǐng)域應(yīng)用基礎(chǔ)性、關(guān)鍵共性技術(shù)研究,以及行業(yè)應(yīng)用技術(shù)開發(fā)。
清洗方式︰
水平噴淋式:這種方法速度快,清洗效果好;
垂直浸泡式:速度較慢,可選用超聲波清洗效果會(huì)更好﹔
測(cè)試清潔度的方法∶雙手側(cè)捧清洗后的金屬片材,放入干凈的清水中,45°角拿起,浙江材料刻蝕技術(shù),板面水膜維持15秒不破,若水膜馬上從中間或邊上破開,則清洗度不夠需要重新清洗。
材料清洗對(duì)于蝕刻加工來(lái)說(shuō)至為重要,直接影響感光油墨附著,顯影的度,蝕刻的精度等,所以清洗是蝕刻加工流程的一環(huán)。
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氮化鎵材料刻蝕加工廠——廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所是廣東省科學(xué)院下屬骨干研究院所之一,主要聚焦半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的應(yīng)用技術(shù)研究,兼顧重大技術(shù)應(yīng)用的基礎(chǔ)研究,立足于廣東省經(jīng)濟(jì)社會(huì)發(fā)展的實(shí)際需要,從事電子信息、半導(dǎo)體領(lǐng)域應(yīng)用基礎(chǔ)性、關(guān)鍵共性技術(shù)研究,以及行業(yè)應(yīng)用技術(shù)開發(fā)。
氮化鎵基超表面結(jié)構(gòu)當(dāng)中,氮化鎵材料的刻蝕需要使用氧化硅作為掩膜來(lái)刻蝕,而氧化硅的刻蝕需要使用Cr充當(dāng)硬掩模。
濕法刻蝕是化學(xué)清洗方法中的一種,是化學(xué)清洗在半導(dǎo)體制造行業(yè)中的應(yīng)用,是用化學(xué)方法有選擇地從硅片表面去除不需要材料的過(guò)程。其基本目的是在涂膠的硅片上正確地復(fù)i制掩膜圖形,有圖形的光刻膠層在刻蝕中不受到腐蝕源明顯的侵蝕,這層掩蔽膜用來(lái)在刻蝕中保護(hù)硅片上的特殊區(qū)域而選擇性地刻蝕掉未被光刻膠保護(hù)的區(qū)域。從半導(dǎo)體制造業(yè)一開始,濕法刻蝕就與硅片制造聯(lián)系在一起。雖然濕法刻蝕已經(jīng)逐步開始被干法刻蝕所取代,但它在漂去氧化硅、去除殘留物、表層剝離以及大尺寸圖形刻蝕應(yīng)用等方面仍然起著重要的作用。與干法刻蝕相比,濕法刻蝕的好處在于對(duì)下層材料具有高的選擇比,對(duì)器件不會(huì)帶來(lái)等離子體損傷,并且設(shè)備簡(jiǎn)單。
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感應(yīng)耦合等離子刻蝕-材料刻蝕加工廠——廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所是廣東省科學(xué)院下屬骨干研究院所之一,微流控材料刻蝕技術(shù),主要聚焦半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的應(yīng)用技術(shù)研究,兼顧重大技術(shù)應(yīng)用的基礎(chǔ)研究,立足于廣東省經(jīng)濟(jì)社會(huì)發(fā)展的實(shí)際需要,從事電子信息、半導(dǎo)體領(lǐng)域應(yīng)用基礎(chǔ)性、關(guān)鍵共性技術(shù)研究,硅材料刻蝕技術(shù),以及行業(yè)應(yīng)用技術(shù)開發(fā)。
等離子體刻蝕機(jī)要求相同的元素:化學(xué)刻蝕劑和能量源。
硅材料在MEMS器件當(dāng)中是很重要的一種材料。在硅材料刻蝕當(dāng)中,應(yīng)用于醫(yī)美方向的硅針刻蝕需要用到各向同性刻蝕,縱向和橫向同時(shí)刻蝕,硅柱的刻蝕需要用到各項(xiàng)異性刻蝕,主要是在垂直方向刻蝕,而橫向盡量少刻蝕。
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