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五家渠回收單晶硅組件誠(chéng)信企業(yè)

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發(fā)布時(shí)間:2023-05-14 06:15  
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視頻作者:蘇州振鑫焱光伏科技有限公司





近年來(lái),太陽(yáng)能由于具有眾多的環(huán)保和經(jīng)濟(jì)方面的好處以及久經(jīng)驗(yàn)證的可靠性,因而成為一種主要的再生能源形態(tài)。由于太陽(yáng)能發(fā)電系統(tǒng)不含運(yùn)動(dòng)部件,所以系統(tǒng)一旦安裝完成后,實(shí)際上并不需要任何維護(hù)。本文介紹太陽(yáng)能光伏技術(shù)的主要應(yīng)用領(lǐng)域,并重點(diǎn)探討太陽(yáng)能逆變器的發(fā)展現(xiàn)狀和應(yīng)用前景。


光伏技術(shù)主要應(yīng)用于以下領(lǐng)域:

家用并網(wǎng)系統(tǒng):這是發(fā)達(dá)地區(qū)流行的家庭和企業(yè)級(jí)太陽(yáng)能光伏發(fā)電系統(tǒng)應(yīng)用類型。與本地電網(wǎng)的連接,允許將光伏系統(tǒng)產(chǎn)生的多余電能輸送至電網(wǎng),賣(mài)給公用機(jī)構(gòu)。當(dāng)沒(méi)有太陽(yáng)時(shí),再?gòu)碾娋W(wǎng)輸出電力。逆變器用來(lái)將光伏系統(tǒng)產(chǎn)生的直流電(DC)轉(zhuǎn)換為運(yùn)行一般電氣設(shè)備所需的交流電(AC)。

并網(wǎng)發(fā)電廠:在一個(gè)廠區(qū)位置上,這些也并入電網(wǎng)的系統(tǒng)產(chǎn)生大量光伏電能,其容量從幾百千瓦到幾兆瓦。其中一些電廠位于機(jī)場(chǎng)或火車(chē)站等大型工業(yè)建筑內(nèi),這類電廠利用已有的可用空間,補(bǔ)償了高耗能用戶所需的部分電能。




滿足“移動(dòng)”時(shí)代的需求

隨著現(xiàn)在人們生活方式的改變,高節(jié)奏,高快捷的生活需求在日益的擴(kuò)大,于是現(xiàn)在的3C產(chǎn)品,更多的數(shù)碼產(chǎn)品都在朝著這樣的方向發(fā)展著,于是我們 處了一個(gè) “移動(dòng)”的時(shí)代,移動(dòng)辦公,移動(dòng)通訊,移動(dòng)休閑和娛樂(lè)的生活中。在移動(dòng)的狀態(tài)中,人們不但需要由電池或電瓶供給的低壓直流電,同時(shí)更需要我們?cè)谌粘-h(huán)境中

不可或缺的220伏交流電,逆變器就可以滿足我們的這種需求。

逆變器的工作原理

逆變器的工作原理其實(shí)就是一個(gè)低壓直流轉(zhuǎn)換為高壓交流的過(guò)程。其直流電壓分兩路:一給前級(jí)IC供電產(chǎn)生一個(gè)KHZ級(jí)的控制信號(hào),一路到前級(jí)功率 管。下面是從低壓直流轉(zhuǎn)換成高壓交流過(guò)程中的3個(gè)步驟及每個(gè)步驟產(chǎn)生的結(jié)果電流(壓):

步驟1:由控制信號(hào)推動(dòng)功率管不斷開(kāi)關(guān)使高頻變壓器初級(jí)產(chǎn) 生低壓的高頻交流電。

產(chǎn)生電壓低、頻率高的交流電

步驟2:通過(guò)高頻變壓器輸出高頻交流電再經(jīng)過(guò)快速恢復(fù)二極管全橋整流輸出一個(gè)高頻的幾 百V直流電到后級(jí)功率管。

產(chǎn)生電壓高、頻率高的交流電

步驟3:由后級(jí)IC產(chǎn)生50HZ左右的控制信號(hào)來(lái)控制后級(jí)的功率管工作,輸出220V 50HZ的交流電。

產(chǎn)生220V 50HZ 的交流電。



超高速溝道IGBT也提供方形反向偏壓工作區(qū)、高175℃結(jié)溫,還可承受4倍的額定電流。為了要顯示它們的耐用性,這些功率器件也經(jīng)過(guò)100%鉗位電感負(fù)載測(cè)試。

與高側(cè)不同,通態(tài)耗損支配了低側(cè)IGBT。因?yàn)榈蛡?cè)晶體管的工作頻率只有60Hz,開(kāi)關(guān)損耗對(duì)這些器件來(lái)說(shuō)微不足道。標(biāo)準(zhǔn)速度平面IGBT是特別為低頻率和較低通態(tài)耗損而設(shè)計(jì)。所以,隨著低側(cè)器件于60Hz進(jìn)行開(kāi)關(guān),這些IGBT要通過(guò)采用標(biāo)準(zhǔn)速度平面IGBT來(lái)達(dá)到的低功率耗損水平。因?yàn)檫@些器件的開(kāi)關(guān)損耗非常少,標(biāo)準(zhǔn)速度平面IGBT的總耗散并沒(méi)有受到其開(kāi)關(guān)耗損所影響?;谶@些考慮,標(biāo)準(zhǔn)速度IGBT IRG4BC20SD因此成為低功率器件的選擇。一個(gè)第四代IGBT與超高速軟恢復(fù)反向并聯(lián)二極管協(xié)同封裝,并且為低飽和電壓和低工作頻率(<1kHz)進(jìn)行優(yōu)化。在10A下的典型Vce(on)為1.4V。針對(duì)低正向降及反向漏電流,跨越低側(cè)IGBT的協(xié)同封裝二極管已經(jīng)優(yōu)化了,以在續(xù)流和反向恢復(fù)期間把損耗降到低。



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