在IV特性曲線接近短路電流部分，由于組件工作電流變化較小，采用固定步長(zhǎng)的恒流工作模式電子負(fù)載難以將該段曲線完整掃描，出現(xiàn)了前文中所述的測(cè)量點(diǎn)稀少問(wèn)題。相應(yīng)地，圖5表明，采用恒壓工作模式電子負(fù)載掃描IV特性曲線，在接近開(kāi)路電壓處，陽(yáng)泉組件多少錢(qián)，同樣出現(xiàn)測(cè)量點(diǎn)明顯減少的現(xiàn)象。若采用上文所提出的測(cè)試流程，通過(guò)自動(dòng)切換工作模式的可編程電子負(fù)載掃描IV 特性曲線，可以更完整地測(cè)量整條曲線。如圖6所示，所測(cè)曲線上256個(gè)點(diǎn)排列緊密，數(shù)據(jù)無(wú)需平滑處理。同時(shí)，在其大功率點(diǎn)附近，被測(cè)點(diǎn)分布更密集，保證了更地對(duì)光伏組件大功率值測(cè)量。

所研制的戶外光伏組件測(cè)試平臺(tái)，其靈活的編程性，有效地實(shí)現(xiàn)對(duì)光伏組件戶外IV特性曲線而完整的測(cè)量，通過(guò)分析測(cè)量數(shù)據(jù)，可對(duì)光伏組件在特定環(huán)境中的性能予以評(píng)估。對(duì)光伏系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員而言，通過(guò)分析不同組件在特定戶外環(huán)境中的輸出能力，客退組件多少錢(qián)，可更好地選擇適于該環(huán)境下工作的光伏組件，使光伏系統(tǒng)的輸出效能達(dá)到優(yōu)。為光伏組件生產(chǎn)商也提供了產(chǎn)品測(cè)試依據(jù)。

硅片的工藝　　

面臨挑戰(zhàn)：　　

切割線直徑　　

更細(xì)的切割線意味著更低的截口損失，也就是說(shuō)同一個(gè)硅塊可以生產(chǎn)更多的硅片。然而，切割線更細(xì)更容易斷裂。

荷載

每次切割的總面積，等于硅片面積X每次切割的硅塊數(shù)量X每個(gè)硅塊所切割成的硅片數(shù)量。

切割速度

切割臺(tái)通過(guò)切割線切割網(wǎng)的速度，這在很大程度上取決于切割線運(yùn)動(dòng)速度，馬達(dá)功率和切割線拉力。

易于維護(hù)性

線鋸在切割之間需要更換切割線和研磨漿，電站拆卸組件多少錢(qián)，維護(hù)的速度越快，總體的生產(chǎn)力就越高。

生產(chǎn)商必須平衡這些相關(guān)的因素使生產(chǎn)力達(dá)到大化。更高的切割速度和更大的荷載將會(huì)加大切割切割線的拉力，增加切割線斷裂的風(fēng)險(xiǎn)。由于同一硅塊上所有硅片是同時(shí)被切割的，只要有一條切割線斷裂，所有部分切割的硅片都不得不丟棄。然而，使用更粗更牢固的切割線也并不可取，這會(huì)減少每次切割所生產(chǎn)的硅片數(shù)量，并增加硅原料的消耗量。

3.1 恒流工作模式控制電路

典型的MOSFET有3個(gè)工作區(qū)，即截止區(qū)、線性區(qū)和飽和區(qū)。當(dāng)MOSFET工作于線性區(qū)時(shí)，返修組件多少錢(qián)，通過(guò)控制其柵源極之間電壓VGS可實(shí)現(xiàn)對(duì)其流過(guò)電流Id的控制，終控制其等效阻抗，從而對(duì)電源的輸出性能測(cè)試。其子控制電路如圖2所示，選用低溫漂采樣電阻采集電流信號(hào)，再將該電流信號(hào)差分放大接入運(yùn)放U1A 反向輸入端，U1A將電流信號(hào)和同向輸入端的控制信號(hào)作比較運(yùn)算，控制MOSFET柵極電壓，實(shí)現(xiàn)對(duì)MOSFET等效阻抗的控制。