公司成立于2013年7月，專注從事單片機的應用開發(fā)及生產(chǎn)，mos廠家，并提供全系列中低壓MOS及電源、鋰電IC等的銷售，在LED及小家電等消費類電子產(chǎn)品上應用廣泛，為您量身定制適合的芯片方案。

場效應管的主要參數(shù)有很多種，其中包含直流電流、交流電流的參數(shù)和極限參數(shù)，但一般應用時只需關心下列基本參數(shù)：飽和狀態(tài)的漏源電流量IDSS夾斷電壓Up，跨導gm、漏源擊穿電壓BUDS、較大損耗輸出功率PDSM和較大漏源電流量IDSM。

公司成立于2013年7月，專注從事單片機的應用開發(fā)及生產(chǎn)，并提供全系列中低壓MOS及電源、鋰電IC等的銷售，在LED及小家電等消費類電子產(chǎn)品上應用廣泛，為您量身定制適合的芯片方案。

 MOS管導通的意思就是將其做為開關，蘇州mos，等同于開關合閉。NMOS的特點是當Vgs超過限定的值時就會導通，適用與源極接地裝置的狀況，只需柵壓電壓做到4V或10V就可以了。而PMOS的特點則是當Vgs低于一定的值就會導通，mos公司，適用與源極接Vcc的狀況。可是，盡管PMOS能夠很便捷的作為高i檔驅(qū)動，但因為導通電阻器大、價錢成本高、更換類型少等緣故，在高i檔驅(qū)動中，一般都用NMOS。

MOS管FET柵源保護：

1）避免 柵極 di/dt 過高

因為選用驅(qū)動集成ic，其輸出阻抗較低，直推功率管會造成推動的功率管迅速的開啟和斷連，有可能導致功率管漏源極間的工作電壓波動，mos價格，或是有可能導致功率管遭到過高的 di/dt 而造成誤通。為預防以上問題的產(chǎn)生，一般在 MOS 控制器的導出與 MOS 管的柵極中間串連一個電阻器，電阻器的尺寸一般選擇幾十歐母。

2）避免 柵源極間過壓

因為柵極與源極的特性阻抗很高，漏極與源極間的工作電壓基因突變會根據(jù)極間電容藕合到柵極而造成非常高的柵源頂i峰工作電壓，此工作電壓會使非常薄的柵源空氣氧化層穿透，與此同時柵極非常容易累積正電荷也會使柵源空氣氧化層穿透，因此，要在 MOS 管柵極串聯(lián)穩(wěn)壓極管以限定柵極工作電壓在穩(wěn)壓極管值下，保護 MOS 管不被穿透。

3）安全防護漏源極中間過壓

盡管漏源擊穿電壓 VDS 一般都非常大，但假如漏源極不用保護電路，一樣有可能由于器件電源開關一瞬間電流量的基因突變而造成漏極頂i峰工作電壓，從而毀壞 MOS 管，功率管電源開關速率越快，造成的過壓也就越高。為了更好地避免器件毀壞，一般選用齊納二極管鉗位和 RC 緩存電路等保護對策。

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