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WPmos管廠家-WPmos管-炫吉

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發(fā)布時(shí)間:2023-05-02 04:10  





公司成立于2013年7月,專注從事單片機(jī)的應(yīng)用開發(fā)及生產(chǎn),WPmos管價(jià)格,并提供全系列中低壓MOS及電源、鋰電IC等的銷售,WPmos管生產(chǎn)廠家,在LED及小家電等消費(fèi)類電子產(chǎn)品上應(yīng)用廣泛,為您量身定制適合的芯片方案。

  就目前的半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展來說,MOS管是作為半導(dǎo)體行業(yè)里基礎(chǔ)的器件之一,無論是在集成電路設(shè)計(jì)里,還是在板級(jí)電路的應(yīng)用上都是十分廣泛的。目前尤其是在大功率半導(dǎo)體行業(yè)里,各種結(jié)構(gòu)不同種類的MOS管更是發(fā)揮著不可i替代的作用。





公司成立于2013年7月,專注從事單片機(jī)的應(yīng)用開發(fā)及生產(chǎn),并提供全系列中低壓MOS及電源、鋰電IC等的銷售,在LED及小家電等消費(fèi)類電子產(chǎn)品上應(yīng)用廣泛,為您量身定制適合的芯片方案。

場(chǎng)效應(yīng)管的主要參數(shù)有很多種,其中包含直流電流、交流電流的參數(shù)和極限參數(shù),但一般應(yīng)用時(shí)只需關(guān)心下列基本參數(shù):飽和狀態(tài)的漏源電流量IDSS夾斷電壓Up,跨導(dǎo)gm、漏源擊穿電壓BUDS、較大損耗輸出功率PDSM和較大漏源電流量IDSM。





公司成立于2013年7月,WPmos管,專注從事單片機(jī)的應(yīng)用開發(fā)及生產(chǎn),并提供全系列中低壓MOS及電源、鋰電IC等的銷售,在LED及小家電等消費(fèi)類電子產(chǎn)品上應(yīng)用廣泛,為您量身定制適合的芯片方案。


mos管小電流發(fā)熱的緣故

  1、電路原理的難題,便是讓MOS管工作中在線形的運(yùn)行狀態(tài),而不是在開關(guān)情況。這也是造成 MOS管發(fā)熱的一個(gè)緣故。假如N-MOS做開關(guān),G級(jí)工作電壓要比開關(guān)電源高幾V,才可以徹i底通斷,P-MOS則反過來。沒有徹i底開啟而損耗過大導(dǎo)致輸出功率耗費(fèi),等效電路直流電特性阻抗較為大,損耗擴(kuò)大,因此U*I也擴(kuò)大,WPmos管廠家,耗損就代表著發(fā)熱。這也是設(shè)計(jì)方案控制電路的避諱的不正確。

  2、頻率太高,主要是有時(shí)候太過追求完i美容積,造成 頻率提升,MOS管上的消耗擴(kuò)大了,因此發(fā)熱也增加了。

  3、沒有做到充足的排熱設(shè)計(jì)方案,電流太高,MOS管允差的電流值,一般必須保持良好的排熱才可以做到。因此ID低于較大電流,也很有可能發(fā)熱比較嚴(yán)重,必須充足的輔助散熱器。

  4、MOS管的型號(hào)選擇不正確,對(duì)輸出功率分辨不正確,MOS管內(nèi)電阻沒有考慮到,造成開關(guān)特性阻抗擴(kuò)大。






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