EDI超純水系統(tǒng)進(jìn)水水質(zhì)指標(biāo)控制措施如下：

EDI超純水系統(tǒng)進(jìn)水水質(zhì)指標(biāo)控制措施如下：　　1、控制進(jìn)水電導(dǎo)率?？刂祁A(yù)處理過程中的電導(dǎo)率，使EDI超純水系統(tǒng)入口電導(dǎo)率小于40μS/cm，確保出水電導(dǎo)率合格，去除弱電解液?！　?、工作電壓電流控制。系統(tǒng)在運(yùn)行過程中應(yīng)選擇合適的工作電壓電流。同時(shí)，EDI超純水系統(tǒng)的電壓-電流曲線上存在一個(gè)極限電壓-電流點(diǎn)，它與進(jìn)水水質(zhì)、膜和樹脂性能、膜結(jié)構(gòu)等因素有關(guān)。為了電離一定量的水以產(chǎn)生足夠的H 和OH-離子以再生一定量的離子交換樹脂，所選EDI超純水系統(tǒng)的電壓-電流工作點(diǎn)必須大于極限電壓-電流點(diǎn)。

EDI膜堆主要由交替排列的陽離子交換膜、濃水室、陰離子交換膜、淡水室和正、負(fù)電極組成。離子交換樹脂充夾在陰陽離子交換膜之間形成單個(gè)處理單元，并構(gòu)成淡水室，單元與單元之間用網(wǎng)狀物隔開，形成濃水室。在直流電場的作用下，淡水室中離子交換樹脂中的陽離子和陰離子沿樹脂和膜構(gòu)成的通道分別向負(fù)極和正極方向遷移，陽離子透過陽離子交換膜，edi純水設(shè)備生產(chǎn)，陰離子透過陰離子交換膜，分別進(jìn)入濃水室形成濃水。同時(shí)EDI進(jìn)水中的陽離子和陰離子跟離子交換樹脂中的氫離子和氫氧根離子交換，形成超純水（高純水）。超極限電流使水電解產(chǎn)生的大量氫離子和氫氧根離子對離子交換樹脂進(jìn)行連續(xù)的再生。傳統(tǒng)的離子交換，離子交換樹脂飽和后需要化學(xué)間歇再生。而EDI膜堆中的樹脂通過水的電解連續(xù)再生，工作是連續(xù)的，保定edi純水設(shè)備，不需要酸堿化學(xué)再生。

EDI裝置將給水分成三股獨(dú)立的水流：純水、濃水、和極水。純水（90%-95%）為終得到水，濃水（5%-10%）可以再循環(huán)處理，極水（1%）排放掉。

超純水設(shè)備出水符合芯片生產(chǎn)用水需求

是指載有集成電路的半導(dǎo)體元件。芯片制造又稱晶圓制造，edi純水設(shè)備廠家，是在晶圓表面通過物理和化學(xué)工藝步驟形成器件，edi純水設(shè)備價(jià)格，并用金屬線將器件連接起來形成集成電路的過程。芯片的需求主要來自科技的蓬勃發(fā)展，電子消費(fèi)產(chǎn)品芯片的需求不低于汽車行業(yè)的需求。芯片的生產(chǎn)過程冗長，對所有的設(shè)備技術(shù)要求很嚴(yán)格，短時(shí)間解決芯片短缺問題仍然是一個(gè)難題，而如何提高芯片的成品率問題就顯得尤為重要。

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