MOS管FET柵源保護(hù)：

1）避免 柵極 di/dt 過高

因?yàn)檫x用驅(qū)動(dòng)集成ic，其輸出阻抗較低，直推功率管會(huì)造成推動(dòng)的功率管迅速的開啟和斷連，有可能導(dǎo)致功率管漏源極間的工作電壓波動(dòng)，或是有可能導(dǎo)致功率管遭到過高的 di/dt 而造成誤通。為預(yù)防以上問題的產(chǎn)生，一般在 MOS 控制器的導(dǎo)出與 MOS 管的柵極中間串連一個(gè)電阻器，電阻器的尺寸一般選擇幾十歐母。

2）避免 柵源極間過壓

因?yàn)闁艠O與源極的特性阻抗很高，漏極與源極間的工作電壓基因突變會(huì)根據(jù)極間電容藕合到柵極而造成非常高的柵源頂i峰工作電壓，此工作電壓會(huì)使非常薄的柵源空氣氧化層穿透，與此同時(shí)柵極非常容易累積正電荷也會(huì)使柵源空氣氧化層穿透，因此，要在 MOS 管柵極串聯(lián)穩(wěn)壓極管以限定柵極工作電壓在穩(wěn)壓極管值下，WPmos管價(jià)格，保護(hù) MOS 管不被穿透。

3）安全防護(hù)漏源極中間過壓

盡管漏源擊穿電壓 VDS 一般都非常大，但假如漏源極不用保護(hù)電路，一樣有可能由于器件電源開關(guān)一瞬間電流量的基因突變而造成漏極頂i峰工作電壓，從而毀壞 MOS 管，功率管電源開關(guān)速率越快，造成的過壓也就越高。為了更好地避免器件毀壞，一般選用齊納二極管鉗位和 RC 緩存電路等保護(hù)對(duì)策。

公司成立于2013年7月，專注從事單片機(jī)的應(yīng)用開發(fā)及生產(chǎn)，WPmos管報(bào)價(jià)，并提供全系列中低壓MOS及電源、鋰電IC等的銷售，在LED及小家電等消費(fèi)類電子產(chǎn)品上應(yīng)用廣泛，蘇州WPmos管，為您量身定制適合的芯片方案。

MOS，是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管（metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， MOSFET）。

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MOS 管本身有著諸多優(yōu)勢(shì)，但同時(shí)MOS管具備較敏感的短時(shí)過載能力，特別是在高頻率的運(yùn)用場(chǎng)景，因此在運(yùn)用功率 MOS 管務(wù)必為其制定有效的保護(hù)電路來提升器件的穩(wěn)定性。

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