從生產(chǎn)硫酸用過的廢釩催化劑中，五氧化二釩生產(chǎn)廠家，用Na_2SO_3

從生產(chǎn)硫酸用過的廢釩催化劑中，用Na_2SO_3-H_2SO_4溶液浸出釩，浸出率為92％。浸出液經(jīng)二步沉淀，可得V_2O_5含量大于99％的產(chǎn)品。計(jì)算的釩總回收率為90％，實(shí)際總回收率約80％。采用該流程從上述廢釩催化劑中回收V_2O_5具有明顯的經(jīng)濟(jì)效益。采用射頻磁控濺射的方法，在不同條件下制備了氧化釩薄膜樣品，五氧化二釩催化劑，分別在不同溫度條件下做了退火處理，五氧化二釩價(jià)格，并對(duì)退火前后樣品做了X射線衍射(XRD)、X射線光電子能譜(XPS)和激光掃描共聚焦顯微鏡測(cè)試與分析，旨在得出制備良好的V2O5 薄膜的條件。

氧化聚合法將聚分子鏈插入層狀

用原位氧化聚合法將聚分子鏈插入層狀五氧化二釩的片層中，從而制得了一系列聚/五氧化二釩(PAn/V2O5)雜化納米復(fù)合材料。采用WAXD、FT-IR、TGA及四探針電導(dǎo)率測(cè)量等手段對(duì)產(chǎn)物進(jìn)行表征，結(jié)果表明，聚分子以單層形式在受限的納米空間(五氧化二釩的片層中)生成，聚以伸展的單分子鏈存在，自由電子得到充分離域，PAn/V2O5雜化材料室溫電導(dǎo)率在10-3S/cm～10-2S/cm之間。

以V_(2)O_(5)為釩源，Zn粉為還原劑，采用化學(xué)法制備V(OH)_(3)前驅(qū)體，通過熱分解前驅(qū)體制備V_(2)O_(3)粉體。探討了pH值、前驅(qū)體沉淀時(shí)間和溫度、還原時(shí)間和溫度對(duì)V_(2)O_(3)粉體純度和產(chǎn)率的影響。通過TG-DTA、化學(xué)滴定、XRD、SEM分析了V(OH)_(3)前驅(qū)體分解溫度、V_(2)O_(3)產(chǎn)品的純度、物相和形貌。結(jié)果表明:在約463℃前驅(qū)體V(OH)_(3)開始分解，在pH值為5.2、前驅(qū)體沉淀時(shí)間為60 min、前驅(qū)體沉淀溫度為40℃、還原時(shí)間10 min、還原溫度20℃的條件下，五氧化二釩，V_(2)O_(3)粉體的純度可以達(dá)到98.8%，產(chǎn)率為88.5%，所制備的產(chǎn)物是一種以棒狀為主，結(jié)晶性好、純度高的黑色晶體粉末。

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