等離子刻蝕機器，巴彥淖爾濕法，又叫等離子蝕刻機、等離子平面刻蝕機、等離子體刻蝕機、等離子表面處理儀、等離子清洗系統(tǒng)等。等離子刻蝕，是干法刻蝕中*常見的一種形式，其原理是暴露在電子區(qū)域的氣體形成等離子體，由此產(chǎn)生的電離氣體和釋放高能電子組成的氣體，從而形成了等離子或離子，電離氣體。

化學清洗槽（也叫酸槽/化學槽），濕法清洗臺，主要有HF，H2SO4，H2O2，HCL等酸堿液體按一定比例配置，目的是為了去除雜質(zhì)，去離子，去原子，后還有DI清洗。IPA是，就是工業(yè)酒精，是用來clean機臺或parts的，是為了減少partical的。

離子刻蝕設備在光刻膠涂層和光刻顯影后，將光刻膠用作掩模，通過物理濺射和化學作用去除不需要的金屬，濕法設備，從而得到與光刻膠圖案相同的線條形狀。目前，等離子刻蝕設備是主流的干法刻蝕方法，由于刻蝕速度快、定向性好，正在逐步取代濕法刻蝕。影響氮化硅側壁刻蝕角度的參數(shù)：在半導體集成電路中，真空等離子刻蝕設備的刻蝕工藝不僅可以刻蝕表面層的光刻膠，還可以刻蝕下層的氮化硅層。

3．1．3 金屬一陶瓷封裝它是以傳統(tǒng)多層陶瓷工藝為基礎，以金屬和陶瓷材料為框架而發(fā)展起來的。其特征是高頻特性好而噪音低而被用于微波功率器件，如微波毫米波二極管、微波低噪聲三極管、微波毫米波功率三極管。正因如此，濕法腐蝕設備，它對封裝體積大的電參數(shù)如有線電感、引線電阻、輸出電容、特性阻抗等要求苛刻，故其成品率比較低；同時它必須很好地解決多層陶瓷和金屬材料的不同膨脹系數(shù)問題，這樣才能保證其可靠性。金屬一陶瓷封裝的種類有分立器件封裝包括同軸型和帶線型；單片微波集成電路(MMIC)封裝包括載體型、多層陶瓷型和金屬框架一陶瓷絕緣型。

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