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電容在開關(guān)電源模塊的作用
一直以來,開關(guān)電源模塊的電磁干擾是一個重要的解決點,從原理上來講電磁干擾主要來自于兩個方面,即傳導干擾和輻射的干擾。
傳導干擾是由于電路中寄生參數(shù)的存在,以及開關(guān)電源中開關(guān)器件的開通與判斷,使得開關(guān)電源在交流輸入端產(chǎn)生較大的共模干擾和差模干擾。
輻射的干擾是指由于導體中電流的變化會在其周圍空間中產(chǎn)生變化的磁場,而變化的磁場又產(chǎn)生變化的電場,這一變化電流的幅值和頻率決定其產(chǎn)生的電磁的大小以及其作用范圍。
為了減輕和抵抗這些電磁干擾對電網(wǎng)及電子設(shè)備產(chǎn)生的危害,設(shè)了X電容和Y電容,其中X電容主濾波作用,常用于差模濾波,與共模電感匹配,并聯(lián)在輸入的兩端,濾除L、N線之間的差模信號,可防對外干擾。而Y電容主接地,常用于共模濾波,對稱使用,接于L于地或N于地之間,濾除L對地或N對地之間的差模信號。基于漏電流的限制,Y電容值不能太大。
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電源模塊啟動困難原因
電源模塊在啟動中無法啟動或者出現(xiàn)啟動不良的原因:
(1)外接電容過大
(2)容性負載過大
(3)負載電流過大
(4)輸入電源功率不夠
解決方法:可以通過調(diào)整輸出端的電容以及負載或調(diào)整輸入端的功率進行改善。如:l外接電容過大,在電源模塊啟動時向其充電較長時間,難以啟動,需要選擇合適的容性負載,容性負載過大時需可先串聯(lián)一個合適的電感,輸出負載過重是會造成啟動時間延長,選擇合適負載,換用大功率電源。
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絕緣柵雙極性晶體管(Insulated Gate Bipolar tansistor,IGBT)是一種復合開關(guān)器件,關(guān)斷時的電流拖 尾會導致較大的關(guān)斷損耗,如果在關(guān)斷前使流過它的電流降到零,則可以顯著地降低開關(guān)損耗,因此IGBT宜采用零電流(ZCS)關(guān)斷方式。IGBT在 零電壓條件下關(guān)斷,同樣也能減小關(guān)斷損耗,但是MOSFET在零電流條件下開通時,并不能減小容性開通損耗。諧振轉(zhuǎn)換器(ResonantConverter ,RC)、準諧振轉(zhuǎn)換器(Qunsi-Tesonant Converter,QRC)、多諧振轉(zhuǎn)換器(Multi-ResonantConverter,AGV充電電源多少錢,MRC)、零電壓開關(guān)PWM轉(zhuǎn)換器(ZVS PWM Converter)、零電流開關(guān)PWM轉(zhuǎn)換器(ZCS PWM Converter)、零電壓轉(zhuǎn)換(Zero-Voltage-Transition,ZVT)PWM轉(zhuǎn)換器和零電流轉(zhuǎn)換(Zero- Voltage-Transition,ZVT)PWM轉(zhuǎn)換器等,均屬于軟開關(guān)直流轉(zhuǎn)換器。電力電子開關(guān)器件和零開關(guān)轉(zhuǎn)換器技術(shù)的發(fā)展,促使了高頻開關(guān)電源的發(fā)展。
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