激光打標機

由于半導體泵浦的轉(zhuǎn)換，模式好，更易聚焦出高能量的更小面積的光點，標記同樣的物體時，其所需的外部能量會更小。同時其產(chǎn)生的廢熱也遠遠小于燈泵浦激光器，濟寧激光打標機，決定了其不需要燈泵浦激光器那樣龐大的冷卻系統(tǒng)。所以半導體泵浦的激光器系統(tǒng)的功耗比燈泵浦小得多。

一個50W的燈泵浦激光打標機的功耗在6KW左右，co2激光打標機系統(tǒng)，而一個50W半導體激光標記機的功耗只在2KW左右，以三年為例，一天工作24小時，一個月工作28天，一度工業(yè)用電1.1元，光耗電一項，一臺半導體激光器就比一臺燈泵浦激光器節(jié)?。?-2）KW*24小時*28天*12月*3年*1.1/度=10.645萬 元！

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慣性約束聚變（ICF）激光驅(qū)動器——“神光”系列 在王淦昌、王大珩的指導下，和中國工程物理研究院從80年始聯(lián)合攻關(guān)，承擔了“神光”系列激光系統(tǒng)的研制和ICF物理實驗，取得了國際矚目的成就。其中，“神光-Ⅰ”激光裝置于1986年建成，輸出功率2萬億瓦，達到國際同類裝置的先進水平。“神光-Ⅰ”連續(xù)運行8年，在ICF和X射線激光等前沿領(lǐng)域取得了一批國際水平的物理成果。90年代又研制了規(guī)模擴大4倍、性能更為先進的“神光-Ⅱ”裝置，并即將投入運行。1995年，IC F在“863計劃”中立項，開始研制跨世紀的巨型激光驅(qū)動器——“神光-Ⅲ”裝置，總體設(shè) 計和關(guān)鍵技術(shù)研究已取得一系列高水平的成果。

1.高功率激光系統(tǒng)和核聚變研究 1964年王淦昌獨立提出激光聚變倡議，1965年立項開始研究。經(jīng)幾年努力，建成了輸出功率10（上標10）瓦的納秒級激光裝置，并于1973年5月在低溫固靶、常溫化鋰靶和化聚乙烯上打出中子。1974年研制成功我國一臺多程片狀放大器，把激光輸出功率提高了10倍，臺式光纖激光打標機，中子產(chǎn)額增加了一個量級。在國際上向心壓縮原理后，積極跟蹤并于1976年研制成六束激光系統(tǒng)，三維紫外激光打標機，對充氣玻殼靶照射，獲得了近百倍的體壓縮。這一系列的重大突破，使我國的激光聚變研究進入世界先進行列，也為以后長期的持續(xù)發(fā)展奠定了基礎(chǔ)。

2.激光研究 1966年12月，科委主持召開了激光規(guī)劃會，48個單位130余人參加，會議制定了包括含15種激光整機、9種支撐配套技術(shù)的發(fā)展規(guī)劃。雖未正式批準生效，但仍起了有益的推動作用。此后的幾年內(nèi)，這一領(lǐng)域涌現(xiàn)了一批重要成果。

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