CMP技術(shù)的概念是1965年由Manto提出。該技術(shù)是用于獲取高質(zhì)量的玻璃表面，如望遠鏡等。1988年IBM開始將CMP技術(shù)運用于4MDRAM 的制造中，而自從1991年IBM將CMP成功應用到64MDRAM 的生產(chǎn)中以后，三酸拋光劑，CMP技術(shù)在世界各地迅速發(fā)展起來。區(qū)別于傳統(tǒng)的純機械或純化學的拋光方法，CMP通過化學的和機械的綜合作用，三酸拋光廠家，從而避免了由單純機械拋光造成的表面損傷和由單純化學拋光易造成的拋光速度慢、表面平整度和拋光一致性差等缺點。它利用了磨損中的“軟磨硬”原理，馬鞍山三酸拋光，即用較軟的材料來進行拋光以實現(xiàn)高質(zhì)量的表面拋光。

為了保證化學拋光的效果，三酸拋光工藝，必須使金屬表面溶解，并在表面上形成液體膜或固體膜。因此，金屬的化學拋光液必須具有溶解金屬的能力和形成保護膜的能力。化學拋光液的基本組成一般包括腐蝕劑、氧化劑、添加劑和水。腐蝕劑是主要成分，如果零件在溶液中不溶解，拋光就不能進行。氧化劑和添加劑可抑制腐蝕過程，使反應朝有利于拋光的方向進行。水對拋光液濃度起調(diào)節(jié)作用，便于反應產(chǎn)物的擴散。

精拋時在木桶中裝入鋼球和毛皮碎塊，連續(xù)轉(zhuǎn)動數(shù)小時可得到耀眼光亮的表面。精密線紋尺的拋光是將加工表面浸在拋光液中進行的，拋光液由粒度為W5～W0.5的氧化鉻微粉和乳化液混合而成。 拋光輪采用材質(zhì)勻細經(jīng)脫脂處理的木材或的細毛氈制成，其運動軌跡為均勻稠密的網(wǎng)狀，拋光后的表面粗糙度不大于Ra0.01微米，在放大40倍的顯微鏡下觀察不到任何表面缺陷。此外還有電解拋光等方法。

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