1. LED行業(yè)LED芯片主要采用的襯底材料是藍(lán)寶石，在加工過程中需要對其進(jìn)行減薄和拋光。藍(lán)寶石的硬度極高，普通磨料難以對其進(jìn)行加工。在用金剛石研磨液對藍(lán)寶石襯底表面進(jìn)行減薄和粗磨后，表面不可避免的有一些或大或小的劃痕。CMP拋光液利用“軟磨硬”的原理很好的實現(xiàn)了藍(lán)寶石表面的精密拋光。隨著LED行業(yè)的快速發(fā)展，聚晶金剛石研磨液及二氧化硅溶膠拋光液的需求也與日俱增。

化學(xué)拋光是金屬表面通過有規(guī)則溶解達(dá)到光亮平滑。在化學(xué)拋拋光材料，拋光蠟(4張) 光過程中，鋼鐵零件表面不斷形成鈍化氧化膜和氧化膜不斷溶解，且前者要強(qiáng)于后者。由于零件表面微觀的不一致性，表面微觀凸起部位優(yōu)先溶解，且溶解速率大于凹下部位的溶解速率；而且膜的溶解和膜的形成始終同時進(jìn)行，齊齊哈爾化拋劑，只是其速率有差異，結(jié)果使鋼鐵零件表面粗糙度得以整平，從而獲得平滑光亮的表面。拋光可以填充表面毛孔、劃痕以及其它表面缺陷，從而提高疲勞阻力、腐蝕阻力

半導(dǎo)體行業(yè)CMP技術(shù)還廣泛的應(yīng)用于集成電路(IC)和超大規(guī)模集成電路中(ULSI)對基體材料硅晶片的拋光。隨著半導(dǎo)體工業(yè)的急速發(fā)展，對拋光技術(shù)提出了新的要求，傳統(tǒng)的拋光技術(shù)（如：基于淀積技術(shù)的選擇淀積、濺射等）雖然也可以提供“光滑”的表面，除鎳劑，但卻都是局部平面化技術(shù)，氧化槽液，不能做到全局平面化，而化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)解決了這個問題，它是可以在整個硅圓晶片上平坦化的工藝技術(shù)。

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