平面蝕刻加工不銹鋼薄材產(chǎn)品一般由于產(chǎn)品和材料之間必須有相連的部份，我們稱之為蝕刻鋼片的連接點(diǎn)。

蝕刻鋼片的連接點(diǎn)因材料厚薄，產(chǎn)品設(shè)計(jì)等因素，連接點(diǎn)可大可小，一般應(yīng)設(shè)計(jì)成小于0.5mm寬大小。設(shè)計(jì)時(shí)可以對(duì)連接點(diǎn)部份的鋼片進(jìn)行半蝕刻，以減少產(chǎn)品和鋼片之間的連接力度，以利于拆解。

蝕刻鋼片的連接點(diǎn)分為凸出式和內(nèi)凹式。

凸出式連接點(diǎn)會(huì)形成一個(gè)小的毛剌，需要后期進(jìn)行打磨或研磨。一般針對(duì)厚材不銹鋼蝕刻產(chǎn)品。如標(biāo)牌，銘牌，警示牌，地鐵地線標(biāo)專等。有些要求不高的產(chǎn)品，可以不經(jīng)過打磨。

內(nèi)凹式連接點(diǎn)，一般會(huì)形成一個(gè)小缺口。缺口寬度一般小于1mm寬。深度約在0.5mm。缺口式連接點(diǎn)設(shè)計(jì)一般針對(duì)精密零配件，以功能件為主。主要優(yōu)勢在于不會(huì)形成凸出的毛剌，且缺口對(duì)產(chǎn)品的使用功能不存在影響，無需打磨。

吸塵器濾網(wǎng)蝕刻工藝產(chǎn)品蝕刻特點(diǎn)

一、低開模費(fèi),可以按設(shè)計(jì)人員的設(shè)計(jì)要求進(jìn)行任意更改，成本低，模版的制作周期短。

二、新產(chǎn)品蝕刻設(shè)計(jì)開發(fā)變更靈活，費(fèi)用低，可以實(shí)現(xiàn)金屬表面的半蝕刻刻，增加公司LOGO，實(shí)現(xiàn)品牌化生，以防盜用。

三、極高的精密度,高可達(dá) /-0.0075mm的精度，滿足不同產(chǎn)品的組裝要求，材料越薄，精度控制相對(duì)越高。我們可以加工薄0.02mm厚的金屬材料，直至1mm厚，都可以實(shí)現(xiàn)批量化的生產(chǎn)加工，而且加工的質(zhì)量穩(wěn)定，批次清楚，品控體系嚴(yán)格。

四、復(fù)雜外形產(chǎn)品同樣可以蝕刻，無需額外增加成本。小型化，多樣化的同樣可以應(yīng)對(duì)。為國內(nèi)外不同的客戶實(shí)現(xiàn)定制服務(wù)的機(jī)會(huì)。而不會(huì)只做大批量的產(chǎn)品。我們有專門的樣品樣制工程組，能實(shí)現(xiàn)小批量產(chǎn)品的快速交貨，同時(shí)品質(zhì)又能得到保證。

五、沒有毛刺，壓點(diǎn)，產(chǎn)品不變形,不改變材料性質(zhì)，不影響產(chǎn)品的功能。特別針對(duì)有表面組裝要求的，光潔度要求的產(chǎn)品，興之揚(yáng)蝕刻加工很好的解決了沖壓和線割以及激光切割加工的各種不足。同時(shí)，精度又能滿足產(chǎn)品的要求，甚至比上述幾種工藝更好，擁有性。

六、厚薄材料都可以一樣加工，滿足不同裝配組件的要求。當(dāng)然，這種情況下也是相對(duì)的，這種蝕刻工藝針對(duì)厚薄材料是指允許加的范圍內(nèi)。

七、幾乎所有金屬都能被蝕刻，對(duì)各種圖案設(shè)計(jì)制。針對(duì)特別精細(xì)的圖案，蝕刻工藝也能很好的提供解決方案。不同的金屬材質(zhì)，需要配備不同的化學(xué)配方。比如：稀有金屬：鉬等，也同樣可以蝕刻加工。圖案可加的極限比沖壓更寬廣，深加工的能力更強(qiáng)，配合精密儀器，汽車發(fā)動(dòng)機(jī)過濾網(wǎng)，電器，攝像頭部件等，十分適合加工。

八、制造各類機(jī)械加工所無法完成的金屬部件。沖壓，激光完成不了精細(xì)，超薄材料的加工，蝕刻更容易應(yīng)對(duì)。

興之揚(yáng)316不銹鋼網(wǎng)片小編給大家介紹什么是二氧化硅的濕式蝕刻：

在微電子組件制作應(yīng)用中，二氧化硅的濕式蝕刻通常采用HF溶液加以進(jìn)行(5)。而二氧化硅可與室溫的HF溶液進(jìn)行反應(yīng)，但卻不會(huì)蝕刻硅基材及復(fù)晶硅。反應(yīng)式如下：SiO2 6HF=H2 SiF6 2H2O

由于HF對(duì)二氧化硅的蝕刻速率相當(dāng)高，在制程上很難控制，因此在實(shí)際應(yīng)用上都是使用稀釋后的HF溶液，或是添加NH4F作為緩沖劑的混合液，來進(jìn)行二氧化硅的蝕刻。NH4F的加入可避免氟化物離子的消耗，以保持穩(wěn)定的蝕刻速率。而無添加緩沖劑HF蝕刻溶液常造成光阻的剝離。典型的緩沖氧化硅蝕刻液(BOE:BufferOxideEtcher)(體積比6:1之NH4F(40%)與HF(49%))對(duì)于高溫成長氧化層的蝕刻速率約為1000?/min。

在半導(dǎo)體制程中，二氧化硅的形成方式可分為熱氧化及化學(xué)氣相沉積等方式；而所采用的二氧化硅除了純二氧化硅外，尚有含有雜質(zhì)的二氧化硅如BPSG等。然而由于這些以不同方式成長或不同成份的二氧化硅，其組成或是結(jié)構(gòu)并不完全相同，因此HF溶液對(duì)于這些二氧化硅的蝕刻速率也會(huì)不同。但一般而言，高溫?zé)岢砷L的氧化層較以化學(xué)氣相沉積方式之氧化層蝕刻速率為慢，因其組成結(jié)構(gòu)較為致密。