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雙極型與單極型晶體管

Shockley在雙極型晶體管的基礎(chǔ)上，于1952年進(jìn)一步提出了單極結(jié)型晶體管的概念，即今天所說(shuō)的結(jié)型晶體管。其結(jié)構(gòu)與pnp或npn雙極型晶體管類似，但在p_n材料的界面存在一個(gè)耗盡層，以使柵極與源漏導(dǎo)電溝道之間形成一個(gè)整流接觸。同時(shí)兩端的半導(dǎo)體作為柵極。通過(guò)柵極調(diào)節(jié)源漏之間電流的大小

半導(dǎo)體三極管是內(nèi)部含有兩個(gè)PN結(jié)，外部通常為三個(gè)引出電極的半導(dǎo)體器件。它對(duì)電信號(hào)有放大和開(kāi)關(guān)等作用，應(yīng)用十分廣泛。輸入級(jí)和輸出級(jí)都采用晶體管的邏輯電路，叫做晶體管－晶體管邏輯電路，書(shū)刊和實(shí)用中都簡(jiǎn)稱為TTL電路，它屬于半導(dǎo)體集成電路的一種，其中用得最普遍的是TTL與非門。TTL與非門是將若干個(gè)晶體管和電阻元件組成的電路系統(tǒng)集中制造在一塊很小的硅片上，封裝成一個(gè)獨(dú)立的元件。半導(dǎo)體三極管是電路中應(yīng)用最廣泛的器件之一，在電路中用“V”或“VT”（舊文字符號(hào)為“Q”、“GB”等）表示。

半導(dǎo)體三極管主要分為兩大類：雙極性晶體管（BJT）和場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）。晶體管有三個(gè)極；雙極性晶體管的三個(gè)極，分別由N型跟P型組成發(fā)射極（Emitter）、基極 (base) 和集電極（Collector）；場(chǎng)效應(yīng)晶體管的三個(gè)極，分別是源極（Source）、柵極（Gate）和漏極（Drain）。晶體管因?yàn)橛腥N極性，所以也有三種的使用方式，分別是發(fā)射極接地（又稱共射放大、CE組態(tài)）、基極接地、集電極接地。最常用的用途應(yīng)該是屬于訊號(hào)放大這一方面，其次是阻抗匹配、訊號(hào)轉(zhuǎn)換……等，晶體管在電路中是個(gè)很重要的組件，許多精密的組件主要都是由晶體管制成的。

集電極——集電極反向擊穿電壓

該電壓是指當(dāng)晶體管基極開(kāi)路時(shí)，其集電極與發(fā)射極之間的最z大允許反向電壓，一般用VCEO或BVCEO表示。

基極—— 基極反向擊穿電壓

該電壓是指當(dāng)晶體管發(fā)射極開(kāi)路時(shí)，其集電極與基極之間的最z大允許反向電壓，回收晶體管，用VCBO或BVCBO表示。

發(fā)射極——發(fā)射極反向擊穿電壓

該電壓是指當(dāng)晶體管的集電極開(kāi)路時(shí)，其發(fā)射極與基極與之間的最z大允許反向電壓，回收手機(jī)液晶屏，用VEBO或BVEBO表示。

集電極——基極之間的反向電流ICBO

ICBO也稱集電結(jié)反向漏電電流，是指當(dāng)晶體管的發(fā)射極開(kāi)路時(shí)，集電極與基極之間的反向電流。ICBO對(duì)溫度較敏感，該值越小，宿遷回收，說(shuō)明晶體管的溫度特性越好。

集電極——發(fā)射極之間的反向擊穿電流ICEO　

ICEO是指當(dāng)晶體管的基極開(kāi)路時(shí)，回收手機(jī)配件，其集電極與發(fā)射極之間的反向漏電電流，也稱穿透電流。此電流值越小，說(shuō)明晶體管的性能越好。

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