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晶體管有三個極；雙極性晶體管的三個極，分別由N型跟P型組成發(fā)射極（Emitter）、基極(base) 和集電極（Collector）;場效應(yīng)晶體管的三個極，收購電子IC，分別是源極（Source）、柵極（Gate）和漏極（Drain）。

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雙極型與單極型晶體管

Shockley在雙極型晶體管的基礎(chǔ)上，于1952年進(jìn)一步提出了單極結(jié)型晶體管的概念，即今天所說的結(jié)型晶體管。其結(jié)構(gòu)與pnp或npn雙極型晶體管類似，但在p_n材料的界面存在一個耗盡層，以使柵極與源漏導(dǎo)電溝道之間形成一個整流接觸。同時兩端的半導(dǎo)體作為柵極。通過柵極調(diào)節(jié)源漏之間電流的大小

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控制大功率現(xiàn)在的功率

晶體管能控制數(shù)百千瓦的功率，使用功率晶體管作為開關(guān)有很多優(yōu)點，主要是；

(1)容易關(guān)斷，所需要的輔助元器件少，收購，

(2)開關(guān)迅速，能在很高的頻率下工作，

(3)可得到的器件耐壓范圍從100V到700V，應(yīng)有盡有．

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