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晶體管的發(fā)明，最早可以追溯到1929年，當時工程師利蓮費爾德就已經(jīng)取得一種晶體管的專利。但是，內(nèi)存顆?；厥眨抻诋敃r的技術(shù)水平，制造這種器件的材料達不到足夠的純度，而使這種晶體管無法制造出來。

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光晶體管（phototransistor）由雙極型晶體管或場效應(yīng)晶體管等三端器件構(gòu)成的光電器件。光在這類器件的有源區(qū)內(nèi)被吸收，產(chǎn)生光生載流子，通過內(nèi)部電放大機構(gòu)，產(chǎn)生光電流增益。光晶體管三端工作，故容易實現(xiàn)電控或電同步。光晶體管所用材料通常是GaAs，主要分為雙極型光晶體管、場效應(yīng)光晶體管及其相關(guān)器件。雙極型光晶體管通常增益很高，但速度不太快，對于GaAs-GaAlAs，放大系數(shù)可大于1000，響應(yīng)時間大于納秒，回收晶振，常用于光探測器，也可用于光放大。場效應(yīng)光晶體管響應(yīng)速度快（約為50皮秒），但缺點是光敏面積小，增益小（放大系數(shù)可大于10），回收晶體管，常用作極高速光探測器。與此相關(guān)還有許多其他平面型光電器件，其特點均是速度快（響應(yīng)時間幾十皮秒）、適于集成。這類器件可望在光電集成中得到應(yīng)用。

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真空三極管1939年2月，Bell實驗室有一個偉大的發(fā)現(xiàn)，硅p_n結(jié)的誕生。1942年，普渡大學(xué)Lark_Horovitz領(lǐng)導(dǎo)的課題組中一個名叫Seymour Benzer的學(xué)生1，發(fā)現(xiàn)鍺單晶具有其它半導(dǎo)體所不具有的優(yōu)異的整流性能。這兩個發(fā)現(xiàn)滿足了美國政府的要求，也為隨后晶體管的發(fā)明打下了伏筆

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