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化學(xué)氣相沉積法簡(jiǎn)介
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化學(xué)氣相堆積(簡(jiǎn)稱CVD)是反響物質(zhì)在氣態(tài)條件下發(fā)生化學(xué)反響,生成固態(tài)物質(zhì)堆積在加熱的固態(tài)基體外表,氣相化學(xué)沉積設(shè)備哪家好,進(jìn)而制得固體資料的工藝技術(shù)。它本質(zhì)上歸于原子領(lǐng)域的氣態(tài)傳質(zhì)進(jìn)程。
化學(xué)氣相淀積是近幾十年發(fā)展起來(lái)的制備無(wú)機(jī)資料的新技術(shù)?;瘜W(xué)氣相淀積法已經(jīng)廣泛用于提純物質(zhì)、研發(fā)新晶體、淀積各種單晶、多晶或玻璃態(tài)無(wú)機(jī)薄膜資料。這些資料可所以氧化物、硫化物、氮化物、碳化物,也可所以III-V、II-IV、IV-VI族中的二元或多元的元素間化合物,并且它們的物理功用能夠通過(guò)氣相摻雜的淀積進(jìn)程準(zhǔn)確操控?,F(xiàn)在,化學(xué)氣相淀積已成為無(wú)機(jī)合成化學(xué)的一個(gè)新領(lǐng)域。
ICP刻蝕機(jī)的原理
感應(yīng)耦合等離子體刻蝕法(Inductively Coupled Plasma Etch,氣相化學(xué)沉積設(shè)備,簡(jiǎn)稱ICPE)是化學(xué)過(guò)程和物理過(guò)程共同作用的結(jié)果。它的基本原理是在真空低氣壓下,ICP 射頻電源產(chǎn)生的射頻輸出到環(huán)形耦合線圈,以一定比例的混合刻蝕氣體經(jīng)耦合輝光放電,產(chǎn)生高密度的等離子體,在下電極的RF 射頻作用下,這些等離子體對(duì)基片表面進(jìn)行轟擊,基片圖形區(qū)域的半導(dǎo)體材料的化學(xué)鍵被打斷,與刻蝕氣體生成揮發(fā)性物質(zhì),以氣體形式脫離基片,從真空管路被抽走。
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ICP刻蝕機(jī)的結(jié)構(gòu)
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ICP設(shè)備主要包括預(yù)真空室、刻蝕腔、供氣系統(tǒng)和真空系統(tǒng)四部分。
(1)預(yù)真空室預(yù)真空室的作用是確??涛g腔內(nèi)維持在設(shè)定的真空度,不受外界環(huán)境(如:粉塵、水汽)的影響,氣相化學(xué)沉積設(shè)備多少錢,將危險(xiǎn)性氣體與潔凈廠房隔離開(kāi)來(lái)。它由蓋板、機(jī)械手、傳動(dòng)機(jī)構(gòu)、隔離門等組成。
(2)刻蝕腔體刻蝕腔體是ICP 刻蝕設(shè)備的結(jié)構(gòu),它對(duì)刻蝕速率、刻蝕的垂直度以及粗糙度都有直接的影響。刻蝕腔的主要組成有:上電極、ICP 射頻單元、RF 射頻單元、下電極系統(tǒng)、控溫系統(tǒng)等組成。
(3)供氣系統(tǒng)供氣系統(tǒng)是向刻蝕腔體輸送各種刻蝕氣體,通過(guò)壓力控制器(PC)和質(zhì)量流量控制器(MFC)準(zhǔn)確的控制氣體的流速和流量。氣體供應(yīng)系統(tǒng)由氣源瓶、氣體輸送管道、控制系統(tǒng)、混合單元等組成。
(4)真空系統(tǒng)真空系統(tǒng)有兩套,分別用于預(yù)真空室和刻蝕腔體。預(yù)真空室由機(jī)械泵單獨(dú)抽真空,只有在預(yù)真空室真空度達(dá)到設(shè)定值時(shí),才能打開(kāi)隔離門,進(jìn)行傳送片??涛g腔體的真空由機(jī)械泵和分子泵共同提供,刻蝕腔體反應(yīng)生成的氣體也由真空系統(tǒng)排空。
企業(yè): 沈陽(yáng)鵬程真空技術(shù)有限責(zé)任公司
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