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ASEMI品牌 25N120 MOS場效應(yīng)晶體管 插件封裝 MOSFET

型號：25N120

封裝：TO-247/3P

漏極電流（VDS）：25A

漏源電壓（ID）：1200V

工作溫度：-55℃~150℃

種類：場效應(yīng)晶體管/MOSFET

品牌：ASEMI

市面上常有的一般為N溝道和P溝道，詳情參考右側(cè)圖片(P溝道耗盡型MOS管)。而P溝道常見的為低壓mos管。

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ASEMI品牌 10N60 MOS場效應(yīng)管 10A 600V 插件封裝類型 

型號：10N60

封裝：TO-220AB

漏極電流（VDS）：10A

漏源電壓（ID）：600V

工作溫度：-55℃~150℃

種類：N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管

品牌：ASEMI

MOS管的source和drain是可以對調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下，這個(gè)兩個(gè)區(qū)是一樣的，即使兩端對調(diào)也不會影響器件的性能。這樣的器件被認(rèn)為是對稱的。

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MOS管（MOSFET/場效應(yīng)管）的主要參數(shù)：

6. 導(dǎo)通電阻RON

·導(dǎo)通電阻RON說明了VDS對ID的影響 ，是漏極特性某一點(diǎn)切線的斜率的倒數(shù)

·在飽和區(qū)，ID幾乎不隨VDS改變，25N120場效應(yīng)管，RON的數(shù)值很大，90N10場效應(yīng)管，一般在幾十千歐到幾百千歐之間

·由于在數(shù)字電路中 ，場效應(yīng)管，MOS管導(dǎo)通時(shí)經(jīng)常工作在VDS=0的狀態(tài)下，所以這時(shí)的導(dǎo)通電阻RON可用原點(diǎn)的RON來近似

·對一般的MOS管而言，RON的數(shù)值在幾百歐以內(nèi)

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