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加熱器清洗-藍星設(shè)備清洗(在線咨詢)-上饒清洗

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發(fā)布時間:2021-10-13 02:09  


表面活性劑在金屬電鍍中應(yīng)用

在電鍍過程中,為了提高電解液性能和改善鍍層質(zhì)量,常需加入一些助劑,其中表面活性劑是主要品種之一,它有平整、光亮、擴散、改變鍍層物理性能、抑制酸霧逸出等作用。

電鍍中常用的表面活性劑有平平加、OP乳化劑、十二烷基硫酸鈉、亞雙萘磺酸鈉、氟表面活性劑、脂肪酸聚酯、聚蓖麻油等

1.鍍前清洗液

金屬工件在電鍍前,先必須除油清洗,使之表面干凈,否則,沉積層在表面結(jié)合不良,嚴(yán)重時甚至得不到沉積層

工件表面的油污有動、植物油脂和礦物油類動、植物油脂在堿性溶液中可以發(fā)生皂化反應(yīng),形成水溶性的肥皂和甘油而去除;而礦物油或其它不皂化油則不能用堿使之化學(xué)反應(yīng),上饒清洗,須借助表面活性劑的作用才能從金屬表面除去在除油過程中,表面活性劑分子先吸附于油與溶液的分界面上,油污在表面活性劑的親油基和親水基的作用下,再加上溶液的對流和攪拌作用,逐漸從金屬表面脫離而進入溶液,呈極細小的球形成乳濁液

典型的碳鋼零件除油液配方:

20~30g/L,磷酸三鈉30~40g/L,碳酸鈉30~40g/L,OP乳化劑1~2g/L,30~50℃

當(dāng)零件表面在去除氧化皮進行強腐蝕時,腐蝕過程中產(chǎn)生各種有害氣體,氣體在逸出時產(chǎn)生酸霧,對環(huán)境和設(shè)備影響很大?若在酸洗槽中加入少量OP乳化劑后,酸洗溶液表面能產(chǎn)生一層泡沫,防止了酸霧的逸出











鍋爐化學(xué)清洗常用的藥劑

1. 堿洗劑 鍋爐堿洗運用的堿有磷酸三鈉、、碳酸鈉等,有時為添加除油作用,恰當(dāng)參與低泡型外表活性劑,如OP-15。

2.酸洗劑 酸洗是鏟除鍋爐銹垢和水垢的關(guān)鍵進程,是整個清洗工藝的中心。運用的酸洗劑包含鹽酸、、等無機酸和、檸檬酸、甲酸、、羥基等有機酸。其間鹽酸是鍋爐清洗的酸。

3.配(絡(luò))合劑 大容量電站鍋爐的污垢首要是鐵的氧化物,加熱器清洗,這些氧化物既有隨水帶人鍋爐的,也有鍋爐工作中本身腐蝕發(fā)作的。這類污垢合適用協(xié)作劑清洗。常用的協(xié)作劑有檸檬酸、、EDTA二鈉鹽和二胺鹽。

4。 鈍化劑 經(jīng)酸洗的金屬外表處于活化狀況,需求在外表構(gòu)成一層鈍化膜加以維護,因而鍋爐在清洗后投用之前要停止鈍化處置。常用的鈍化劑有NaN02、Na3P04、H202、N2H4等。 5。其他藥劑 鍋爐酸洗時,應(yīng)加人緩蝕劑,以按捺金屬的腐蝕。

2.鍋爐化學(xué)清洗的普通進程

普通鍋爐清洗進程為:水沖刷(檢漏)一>堿洗一>水沖刷斗酸洗一>水沖刷一>漂洗一>鈍化。

2.1水沖刷(檢漏)

用大流量的水將鍋爐清洗系統(tǒng)內(nèi)的塵土,疏松墜落的污垢沖出系統(tǒng)外。普通選用高位,低位排放的辦法。必要時也可循環(huán)沖刷。水沖刷完畢后,堅持系統(tǒng)滿水

位,檢查暫時管線的焊縫、法蘭、閥門和鍋爐本體的管線、閥門等有無走漏,并對漏點停止處置。檢漏后,繼續(xù)堅持滿水位,對水停止加熱。中小型鍋爐可選用爐膛

熄滅的辦法加熱,使?fàn)t內(nèi)水抵達預(yù)定溫度。如有其他鍋爐能夠供給清洗系統(tǒng)滿足的蒸汽量時,能夠用蒸汽加熱暫時系統(tǒng)中的水箱;經(jīng)過水循環(huán)使?fàn)t內(nèi)水升溫。不論采

用何種加熱辦法,在加熱進程中應(yīng)不斷堅持清洗系統(tǒng)的循環(huán)。














EDTA二鈉鹽清洗工藝 用核算用量的去離子水制造EDTA二鈉鹽溶液

用NaOH調(diào)度pH至5.2左右,加熱到90℃以上送入鍋爐,熄滅加熱鍋爐,使清洗液溫度達135~140℃,每15~20min取樣,窯頭清洗,剖析EDTA、Fe2’、Fe3’離子濃度及pH值。普通經(jīng)4~5h清洗,清洗液pH值可達8~8.5。此刻,F(xiàn)e3’離子濃度不再升高,即可以為清洗完畢,而且金屬外表已進入鈍態(tài)。放出的清洗液中的EDTA能夠收回。 EDTA二鈉鹽合適于鏟除高含量的鐵的氧化物垢。假定垢中鐵的氧化物含量低于65%,則不如改用其他清洗辦法作用更好。假定垢中二氧化硅的含量逾越5%,它的清洗作用會顯著降落。若垢中銅含量高于5%,則應(yīng)在清洗氧化鐵之后,加1%~1.5%的氯水和O.2%的過硫酸銨除銅,或用ACR法除銅。

4.3鹽酸與的混酸清洗

當(dāng)水垢中含有碳酸鈣垢、鐵垢及二氧化硅時,不能總用清洗,由于會發(fā)作難溶的氟化鈣而影響清洗。當(dāng)水垢中二氧化硅的含量很小時,多晶硅設(shè)備清洗,可單獨用鹽酸鏟除上述污垢。但當(dāng)二氧化硅含量大于10%時,單獨用鹽酸清洗就難以收效,此刻可運用鹽酸和的混酸來去除含硅的水垢。在運用鹽酸和的混酸清洗時,普通控制總酸濃度在10%左右, HCI:HF=8:2,在30~40℃下清洗。普通,當(dāng)Si02含量在10%左右,HF的濃度為1%;Si02含量在15%時,HF的濃度應(yīng)為2%;當(dāng)Si02含量大于20%時,HF的濃度應(yīng)為3%。酸洗時添加緩蝕劑,酸洗后要停止水沖刷和鈍化。








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