薄膜應(yīng)力主要分為熱應(yīng)力和內(nèi)應(yīng)力。熱應(yīng)力主要是基片和薄膜熱膨脹系數(shù)不同所導(dǎo)致的應(yīng)力 和薄膜與基片共同受到塑性變形所引起的應(yīng)力；薄膜的內(nèi)應(yīng)力形成的原因是薄膜生長過程中的熱 收縮、晶格錯(cuò)配或雜質(zhì)的存在、相變，南通耐高溫鍍膜玻璃推薦、表面張力等因素。目前，x射線原位應(yīng)力測定被認(rèn)為是分析薄膜應(yīng)力的相當(dāng)有效的技術(shù)之一。按照薄膜光學(xué)理 論，南通耐高溫鍍膜玻璃推薦，實(shí)驗(yàn)中得到的殘余應(yīng)力為熱應(yīng)力和內(nèi)應(yīng)力之和。XRD測量內(nèi)應(yīng)力的實(shí)質(zhì)是測量內(nèi)應(yīng)變，然 后推算出內(nèi)應(yīng)力值。用XRD法的siW來測量是相當(dāng)簡單的形式，在測定中無需轉(zhuǎn)動(dòng)試樣，南通耐高溫鍍膜玻璃推薦，測得 的衍射峰是由膜中平行于表面的某一晶面所貢獻(xiàn)的。衍射峰偏移A20是由膜生長或溫度改變引起 的，因此，衍射峰位狀的測量精度僅取決于儀器如掃描的重現(xiàn)性南通耐高溫鍍膜玻璃推薦

但是目前的研究熱點(diǎn)主要在這些玻璃表面膜層的光學(xué)、電學(xué)、熱學(xué)等功能上的研究，對(duì)其力學(xué)性 質(zhì)的研究，目前還很少見報(bào)道。然而玻璃表面膜層的力學(xué)性質(zhì)直接關(guān)系到玻璃的使用壽命和耐久性， 在實(shí)際工程應(yīng)用中起著重要的作用。鑒于此，本節(jié)主要討論玻璃表面薄膜的力學(xué)性質(zhì)的表征及評(píng)價(jià)方 法。主要介紹膜層的硬度、彈性模量、界面結(jié)合強(qiáng)度及殘余應(yīng)力等力學(xué)性質(zhì)的表征手段。南通耐高溫鍍膜玻璃推薦

透明導(dǎo)電薄膜因其接近金屬的導(dǎo)電率、可見光范圍內(nèi)的高透射比、紅外高反射比以及其半導(dǎo)體特性而應(yīng)用廣。主要的應(yīng)用領(lǐng)域有：太陽能電池、顯示器、熱反射鏡、透明表面發(fā)熱器、氣 敏元件、柔性發(fā)光器件、抗靜電涂層、計(jì)算機(jī)房及雷達(dá)屏蔽保護(hù)等。特別是隨著平板顯示器和對(duì) 太陽能利用的需求不斷增大，透明導(dǎo)電膜玻璃的需求將會(huì)越來越大?，F(xiàn)在透明導(dǎo)電膜的研究范圍很廣，但主要集中在透明導(dǎo)電氧化物薄膜。ITO薄膜具有優(yōu)良 的光電性能，易刻蝕，是典型的透明導(dǎo)電薄膜主流產(chǎn)品。近年來關(guān)于ZAO薄膜的研究日益受到 關(guān)注，ZAO不僅具有ITO的基本性能而且在氫環(huán)境中更穩(wěn)定，有望成為將來ITO的替代產(chǎn)品， 但目前仍處于研究和開發(fā)階段。

對(duì)于這種多層復(fù)合低輻射薄膜，其兩層介質(zhì)膜一般是金屬氧化物膜（如TiO2、SnO2、ZnO 等）或類似的絕緣膜。但是兩層介質(zhì)層的作用卻不同，與玻璃基底直接相附著的介質(zhì)層用來提高 銀與玻璃表面的附著力，同時(shí)兼有調(diào)節(jié)膜系光學(xué)性能和顏色的作用。而與空氣接觸的一層介質(zhì)膜 既是減反射膜，也是一層保護(hù)膜。處于兩層介質(zhì)膜之間的功能膜一般是采用金、銀、銅、鋁等金 屬元素作為該層的材料。它決定了整個(gè)膜系的輻射率，并直接影響了膜系的透射率和反射率。此 外，在金屬功能膜外通常還加人一層很薄的金屬或合金膜（如Ti或Ni、Cr等）作為遮蔽層，防 止銀膜層被氧化而損失。

由于單一組分的透明導(dǎo)電膜固有的物理、化學(xué)性能方面的缺點(diǎn)，使得它們在光學(xué)、電學(xué)、化 學(xué)性能方面受到限制，從而影響其應(yīng)用。為了克服透明導(dǎo)電氧化物薄膜組分單一的缺點(diǎn)，出現(xiàn)了 二元氧化物和三元氧化物按一定的比例進(jìn)行燒結(jié)，從而提高了薄膜的光電性能。另外，近年來出現(xiàn)了碳納米管透明導(dǎo)電膜、石墨單原子層透明導(dǎo)電膜、量子點(diǎn)透明導(dǎo)電薄膜 等新型透明導(dǎo)電膜，具備了可以與傳統(tǒng)ITO相比擬的高透光性和高導(dǎo)電率。南通耐高溫鍍膜玻璃推薦

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光化學(xué)氣相沉積是采用高能光子有選擇性地激發(fā)表 面吸附分子或氣體分子，從而導(dǎo)致鍵斷裂、產(chǎn)生自由化 學(xué)粒子形成膜或在相鄰的基片上形成化合物時(shí)，產(chǎn)生光 化學(xué)沉積。這一過程強(qiáng)烈依賴于人射線的波長，光源可 以是激光或紫外燈，除了直接誘導(dǎo)光致分解過程外，也 可用隸敏化（mercury sensitized)，制得高質(zhì)量薄膜。由于光化學(xué)氣相沉積中的分解和成核均由光子源控制，因此基片溫度可以獨(dú)立控制。光化學(xué)氣相沉積制備高質(zhì)量a-Si : H薄膜的實(shí)驗(yàn)裝置，在這一實(shí)驗(yàn)中，由微波源 引發(fā)的H2放電管用作真空紫外線源，用He稀釋的Si2Hs作為反應(yīng)氣體源，通過管路引入到反 應(yīng)室中接近基片處，Si2H6/He和He流量分別為50mL/min和130mL/min，沉積過程中反應(yīng)室Si片南通耐高溫鍍膜玻璃推薦

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