立式減薄機(jī)IVG-200S設(shè)備結(jié)構(gòu)

1．構(gòu)成

1）磨盤主軸系統(tǒng)

2）工件盤主軸系統(tǒng)

3）進(jìn)給系統(tǒng)

4）控制系統(tǒng)

5）輔助設(shè)備

2。規(guī)格

1）砂輪尺寸：（O.D）200mm×(X)7mm×(T)5mm

2）加工尺寸：較大Φ250mm

3）速度和功率：

砂輪：3，000rpm(無(wú)級(jí)可調(diào))  3.0kW AC伺服電機(jī)

工件：200rpm （無(wú)級(jí)可調(diào)）   0.75kW 齒輪電機(jī)

4)分辨度：0.001mm

5)精度：±0.002mm

6)重復(fù)度：0.001mm

7)研磨范圍：200mm

8)進(jìn)給率：0.1μm-1000μm/sec

立式減薄機(jī)IVG-200S設(shè)備規(guī)格

設(shè)備規(guī)格：

1）磨盤主軸系統(tǒng)

A） 類型：滾子軸承

B） 電機(jī)：AC 伺服電機(jī)(3.0kW)

C） 砂輪規(guī)格：Ф200mm

2) 工件盤主軸系統(tǒng)

A)     類型：滾子軸承

B)     電機(jī)：齒輪電機(jī)（0.75kW）

3) 進(jìn)給系統(tǒng)

A)     類型：Combination of Ball Serve and LM Guide

B)     電機(jī)：微步進(jìn)給電機(jī)

C)     控制：0.1μm Control by Linear Scale Feedback

4) 控制系統(tǒng)（PLC）

A)     制造商：Parker Hannifin Co.

B)     控制器：SX Indexer/Drive

C)     顯示系統(tǒng)：EASON 900

5) 輔助設(shè)備

A)     電源：220V，50Hz，3相，5kW

B)     氣壓：5.5-6kgf/cm2  (0.55-0.6Mpa)

C)     離心分離機(jī)：Sludge Free(SF100)(選配件)

D)     水箱容量：200L

E)     冷凝器：0.5kw

F)     過(guò)濾裝置：20μm，10μm Cartridge Filter

6) 尺寸及重量

設(shè)備尺寸：1，100(W) x 950(D) x 1，976(H)  

設(shè)備重量：1，400kg  

誠(chéng)薄機(jī)對(duì)晶片誠(chéng)薄的必要性及作用?

誠(chéng)薄機(jī)對(duì)晶片誠(chéng)薄的必要性及作用?

根據(jù)制造工藝的要求來(lái)講，目前對(duì)晶片的尺寸、幾何精度、表面潔凈度以及表面微晶結(jié)構(gòu)提出了較高的要求，因此，減薄機(jī)生產(chǎn)商，在制造工藝的過(guò)程中減薄機(jī)對(duì)晶片減薄是相對(duì)不可缺少的一部分。那么，關(guān)于晶片減薄的必要性及作用具體體現(xiàn)哪些方面呢?

1.提高芯片的散熱性能要求

在集成電路中，由于硅基體材料及互聯(lián)金屬層存在電阻，在電流的作用下，芯片要產(chǎn)生的發(fā)熱現(xiàn)象。而在芯片工作的過(guò)程中，由于部分熱量的產(chǎn)生，使得芯片背面產(chǎn)生內(nèi)應(yīng)力。芯片熱量逐漸升高，基體層之間的熱差異性加劇，這無(wú)疑加大了芯片的內(nèi)應(yīng)力。較大的內(nèi)應(yīng)力使芯片生產(chǎn)，這是芯片損壞的主要原因之一。因此，只有通過(guò)減薄機(jī)對(duì)晶片背面進(jìn)行減薄，才可以降低芯片熱阻，有效提高芯片的散熱性能，從而降低了芯片破損的風(fēng)險(xiǎn)，提高了集成電路的可靠性。2.集成電路制造工藝要求

通過(guò)對(duì)晶片減薄工藝后，使其更加有利芯片分離，在一定程度上提高了劃片的質(zhì)量以及成品率。在許多集成電路制造領(lǐng)域內(nèi)，大家對(duì)集成電路芯片超薄化的要求是越來(lái)越高，要想得到高質(zhì)量的超薄芯片，我們就必須通過(guò)晶片減薄工藝的方式從而獲取。

通過(guò)以上兩點(diǎn)可以得出，只有通過(guò)減薄機(jī)對(duì)晶片減薄，才能更好的保證芯片的厚度及尺寸等方面的要求，這也足夠充分的體現(xiàn)了晶片減薄工藝的重要性。

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