針對時(shí)鐘分頻系數(shù)較大的情況下，數(shù)字ic設(shè)計(jì)怎么學(xué)，傳統(tǒng)電路實(shí)現(xiàn)分頻需要大量的寄存器，導(dǎo)致芯片功耗和面積增加的問題，提出了一種異步分頻與門控時(shí)鐘技術(shù)相結(jié)合的低功耗邏輯綜合方案?；贖HGrace 0.11μm ULL工藝，通過采用所提出的方案和使用Design Compiler工具，完成了Σ-ΔADC芯片中數(shù)字集成電路的邏輯綜合。結(jié)果表明，使用該方案得到的數(shù)字IC的功耗為132.627μW。與傳統(tǒng)方案相比，功耗降低了38.88%，面積縮小了2.7%。與門控時(shí)鐘綜合方案相比，數(shù)字ic設(shè)計(jì)，功耗降低了25.43%。

深圳瑞泰威科技有限公司是國內(nèi)IC電子元器件的代理銷售企業(yè)，**從事各類驅(qū)動(dòng)IC、存儲IC、傳感器IC、觸摸IC銷售，品類齊全，具備上百個(gè)型號。與國內(nèi)外的東芝、恩智浦、安森美、全宇昕、上海晶準(zhǔn)等均穩(wěn)定合作，保證產(chǎn)品的品質(zhì)和穩(wěn)定供貨。自公司成立以來，飛速發(fā)展，產(chǎn)品已涵蓋了工控類IC、光通信類IC、無線通信IC、消費(fèi)類IC等行業(yè)。

應(yīng)用驗(yàn)證是指導(dǎo)IC元器件在系統(tǒng)中的可靠應(yīng)用的關(guān)鍵，重點(diǎn)要關(guān)注應(yīng)用系統(tǒng)對器件接口信號的影響，因此無論是采用純軟件還是軟硬件協(xié)同的方式進(jìn)行應(yīng)用驗(yàn)證都需要先完成應(yīng)用系統(tǒng)的PCB工作。本文提出的應(yīng)用驗(yàn)證技術(shù)方案以基IBIS模型在多個(gè)平臺進(jìn)行PCB SI(Signal Integrity)的方式提取出所需的數(shù)據(jù)，實(shí)現(xiàn)對系統(tǒng)應(yīng)用環(huán)境的模擬;在此基礎(chǔ)上通過軟件和軟硬件協(xié)同兩種方法來實(shí)現(xiàn)數(shù)字IC器件的應(yīng)用驗(yàn)證。為保證應(yīng)用驗(yàn)證的順利進(jìn)行，對方案中涉及到的IBIS建模、PCB SI和S參數(shù)的提取及等技術(shù)進(jìn)行了研究。

提出的應(yīng)用驗(yàn)證技術(shù)方案的指導(dǎo)下，以SRAM的應(yīng)用驗(yàn)證為例進(jìn)行了相關(guān)的技術(shù)探索。首先對IBIS模型建模技術(shù)進(jìn)行了深入研究，數(shù)字ic設(shè)計(jì)書籍，并完成了SRAM以及80C32等相關(guān)IC器件的IBIS模型建模工作;接著基于IBIS模型進(jìn)行PCB SI，模擬了SRAM的板級應(yīng)用環(huán)境并提取了應(yīng)用驗(yàn)證所需的數(shù)據(jù);后分別對適用于SRAM的軟件平臺和軟硬件協(xié)同平臺進(jìn)行了相關(guān)設(shè)計(jì)，并完成了SRAM的應(yīng)用驗(yàn)證。通過對SRAM的應(yīng)用驗(yàn)證，證明了本文所提出的應(yīng)用驗(yàn)證技術(shù)方案的可行性。

一、物理基礎(chǔ)    所有物質(zhì)按照導(dǎo)電能力的差別可分為導(dǎo)體、半導(dǎo)體和絕緣體三類。半導(dǎo)體材料的導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體和絕緣體之間?；蛘哒f，半導(dǎo)體是介于導(dǎo)體和絕緣體之間的物質(zhì)。常用的半導(dǎo)體材料有：元素半導(dǎo)體硅(Si)和鍺(Ge)、化合物半導(dǎo)體(GaAs)等。導(dǎo)體的電阻率在10-4Ω?cm以下，如銅的電阻率為1.67×10-6 Ω?cm，數(shù)字ic設(shè)計(jì)流程，絕緣體的電阻率在1010 Ω?cm以上，半導(dǎo)體的電阻率在10-3Ω?cm～109Ω?cm之間，與導(dǎo)體的電阻率相比較，半導(dǎo)體的電阻率有以下特點(diǎn)。

1.對溫度反映靈敏

導(dǎo)體的電阻率隨溫度的升高略有升高，如銅的電阻率僅增加0.4%左右，但半導(dǎo)體的電阻率則隨溫度的上升而急劇下降，如純鍺，溫度從20℃上升到30℃時(shí)，電阻率降低一半左右。

2.雜質(zhì)的影響顯著

金屬中含有少量雜質(zhì)其電阻率不會發(fā)生顯著變化，但是，極微量的雜質(zhì)摻在半導(dǎo)體中，會引起電阻率的極大變化。如在純硅中加入百萬分之一的硼，就可以使硅的電阻率從2.3×105 Ω?cm急劇減少到0.4 Ω?cm左右。

3.光照可以改變電阻率

例如，有些半導(dǎo)體(如)受到光照時(shí)，其導(dǎo)電能力會變得很強(qiáng)；當(dāng)無光照時(shí)，又變得像絕緣體那樣不導(dǎo)電，利用這種特性可以制成光敏元件。而金屬的電阻率則不受光照的影響。

溫度、雜質(zhì)、光照對半導(dǎo)體電阻率的上述控制作用是制作各種半導(dǎo)體器件的物理基礎(chǔ)。