偏置(Bias)：這一較為非常容易了解，便是液晶顯示屏的扭曲工作電壓，也就是SEG和COM中間的工作電壓，事實(shí)上它是一個(gè)模擬型號(hào)規(guī)格的驅(qū)動(dòng)器波型，將會(huì)你見(jiàn)到的SEG和COM不一樣彎彎的扭一扭的，可是記牢液晶顯示屏驅(qū)動(dòng)器與波型不相關(guān)，液晶驅(qū)動(dòng)ic，它只與2個(gè)波型累加以后的凈工作電壓差相關(guān)，而偏置便是各檔模擬工作電壓中至少檔相對(duì)性于輸出的工作電壓重要的占比。

電力MOSFET一般由PWM或其他方式的控制器IC內(nèi)部驅(qū)動(dòng)源驅(qū)動(dòng)，為提高關(guān)斷速度，實(shí)現(xiàn)快速關(guān)斷以降低關(guān)斷損耗以提高系統(tǒng)效率，在許多ACDC電源、手機(jī)充電器及適配器的驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)中，通常采用圖1所示的驅(qū)動(dòng)電路，采用適當(dāng)?shù)拈_(kāi)關(guān)開(kāi)關(guān)電阻和柵極下拉PNP管。有些大功率ACDC電源有時(shí)為了提高驅(qū)動(dòng)能力，在外部采用了兩根管子組成的圖騰柱。

IGBT對(duì)驅(qū)動(dòng)電路的要求：

(1)提供適當(dāng)?shù)恼聪螂妷海笽GBT能可靠地開(kāi)通和關(guān)斷。當(dāng)正偏壓增大時(shí)IGBT通態(tài)壓降和開(kāi)通損耗均下降，ic卡 驅(qū)動(dòng)，但若UGE過(guò)大，驅(qū)動(dòng)ic，則負(fù)載短路時(shí)其IC隨UGE增大而增大，對(duì)其安全不利，使用中選UGEν15V為好。負(fù)偏電壓可防止由于關(guān)斷時(shí)浪涌電流過(guò)大而使IGBT誤導(dǎo)通，一般選UGE=-5V為宜。

(2)IGBT的開(kāi)關(guān)時(shí)間應(yīng)綜合考慮。快速開(kāi)通和關(guān)斷有利于提高工作頻率，減小開(kāi)關(guān)損耗。但在大電感負(fù)載下，IGBT的開(kāi)頻率不宜過(guò)大，因?yàn)楦咚匍_(kāi)斷和關(guān)斷會(huì)產(chǎn)生很高的尖峰電壓，及有可能造成IGBT自身或其他元件擊穿。

(3)IGBT開(kāi)通后，音頻驅(qū)動(dòng)ic，驅(qū)動(dòng)電路應(yīng)提供足夠的電壓、電流幅值，使IGBT在正常工作及過(guò)載情況下不致退出飽和而損壞。

(4)IGBT驅(qū)動(dòng)電路中的電阻RG對(duì)工作性能有較大的影響，RG較大，有利于抑制IGBT的電流上升率及電壓上升率，但會(huì)增加IGBT的開(kāi)關(guān)時(shí)間和開(kāi)關(guān)損耗;RG較小，會(huì)引起電流上升率增大，使IGBT誤導(dǎo)通或損壞。RG的具體數(shù)據(jù)與驅(qū)動(dòng)電路的結(jié)構(gòu)及IGBT的容量有關(guān)，一般在幾歐～幾十歐，小容量的IGBT其RG值較大。

(5)驅(qū)動(dòng)電路應(yīng)具有較強(qiáng)的抗干擾能力及對(duì)IG2BT的保護(hù)功能。IGBT的控制、 驅(qū)動(dòng)及保護(hù)電路等應(yīng)與其高速開(kāi)關(guān)特性相匹配，另外，在未采取適當(dāng)?shù)姆漓o電措施情況下，G—E斷不能開(kāi)路。